<![CDATA[WuYi TianYao New Material Tech.Co.,Ltd.]]>daThu, 08 Oct 2026 03:53:42 GMTThu, 08 Oct 2026 03:53:42 GMT<![CDATA[Inde i VETEK CNC præcisionsbearbejdningsværksted: Opbygning af fundamentet af høj-renhed halvlederkomponenter]]>news-8924<![CDATA[Vetek Semiconductor på CSEAC 2026: Fremme af halvledermaterialer, kernekomponenter og globalt samarbejde]]>news-8689<![CDATA[VETEK Semiconductor | Producent af CVD SiC/TaC-belægninger, fast SiC og kritiske halvledermaterialer]]>news-8123<![CDATA[VETEK New Semiconductor Manufacturing Base går ind i renrumskonstruktionsfasen]]>news-7599<![CDATA[VeTek Semiconductor på SNEC 2026 Shanghai: Fremme materialer til næste generations solcelleproduktion]]>news-7394<![CDATA[VETEK fejrer topping-out-ceremoni for ny halvlederproduktionsbase]]>news-7393<![CDATA[Velkommen kunder til at besøge Veteksemicons SIC -belægning/ TAC -belægning og Epitaxy Process Factory]]>news-1183<![CDATA[Velkommen kunder til at besøge Veteksemicons kulfiberproduktfabrik]]>news-5244<![CDATA[SiC-coated wafer-bærere til MOCVD: termisk ensartethed, udbytte og levetid]]>news-8974<![CDATA[Hvorfor er grafit belagt med siliciumcarbid til halvlederepitaxi?]]>news-8852<![CDATA[SiC-coated grafit-susceptor: Hvordan det påvirker epitaksi-ensartethed og wafer-kvalitet?]]>news-8842<![CDATA[Hvordan aflejres CVD-siliciumcarbidbelægning på grafit?]]>news-8743<![CDATA[Hvad er siliciumcarbidbelægning? CVD-proces, egenskaber og halvlederanvendelser]]>news-8739<![CDATA[CVD-belægninger i halvlederepitaxi: tekniske parametre, SiC/TaC-valg og fejlkontrol]]>news-8693<![CDATA[TaC Coating: Gatekeeper of Yield for 8-tommer Silicium Carbide PVT Epitaxy]]>news-8573<![CDATA[Substrat vs. Epitaksi: Nøgleroller i halvlederfremstilling]]>news-8495<![CDATA[Løsning af SiC-belægningskantgulning for at øge CVD-udbyttet fra 50 % til 90 %]]>news-8337<![CDATA[Hvordan løser man høj lomme-til-lomme-variation i multi-pocket silicium-epitaksi-grafit-susceptorer?]]>news-8250<![CDATA[MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor Cracking Analysis & Thermal Stress Optimization Case Study]]>news-8239<![CDATA[Fra 4-tommer til 8-tommer: Et årti med SiC Semiconductor Growth]]>news-8173<![CDATA[Hvorfor SiC Coated Graphite Susceptor er afgørende for halvlederepitaxi]]>news-7962<![CDATA[Hvorfor TaC-belagte grafitvarmere dukker op som fremtiden for GaN MOCVD-epitaxi]]>news-7961<![CDATA[Hvordan TaC-coating forbedrer SiC-krystalvækst i PVT-applikationer]]>news-7814<![CDATA[Hvorfor TaC Coating bliver det foretrukne valg til halvledergrafitkomponenter]]>news-7798<![CDATA[Pyrolytisk kulstof (PyC) coated grafitringe: Forbedring af pålidelighed i højtemperaturhalvlederfremstilling]]>news-7620<![CDATA[Hvorfor er CVD TaC belægning "Højtemperaturpanser" i tredjegenerationshalvleder]]>news-7390<![CDATA[Aixtron G10-komponenter: Nøgledele til højtydende SiC-epitaxi]]>news-7380<![CDATA[Hvad er en halvmåne i et LPE-reaktionskammer?]]>news-7238<![CDATA[Optimering af MicroLED-ydelse med SiC-substrater og avancerede belægninger]]>news-7117<![CDATA[CVD SiC Coating: Proces, fordele og anvendelser]]>news-7098<![CDATA[Maksimering af Fab Yield: Hvorfor CVD Solid SiC er det ultimative valg for kritiske kammerdele]]>news-6938<![CDATA[Udviklingen af ​​CVD-SiC fra tynde filmbelægninger til bulkmaterialer]]>news-6842<![CDATA[Den usynlige flaskehals i SiC-vækst: Hvorfor 7N Bulk CVD SiC-råmateriale erstatter traditionelt pulver]]>news-6839<![CDATA[PZT piezoelektriske wafere: Højtydende løsninger til næste generations MEMS]]>news-6710<![CDATA[Susceptorer med høj renhed: Nøglen til skræddersyet Semicon Wafer Yield i 2026]]>news-6706<![CDATA[SiC vs. TaC-coating: Det ultimative skjold til grafit-susceptorer i højtemperatur-kraftsemibehandling]]>news-6701<![CDATA[Den kritiske værdi af kemisk mekanisk planarisering (CMP) i tredjegenerations halvlederfremstilling]]>news-6505<![CDATA[Nøglen til effektivitet og omkostningsoptimering: En analyse af CMP-gyllestabilitetskontrol og udvælgelsesstrategier]]>news-6500<![CDATA[​Inde i fremstillingen af ​​solide CVD SiC-fokusringe: Fra grafit til højpræcisionsdele]]>news-6423<![CDATA[Hvad er de forskellige anvendelser af kvarts i halvlederfremstilling?]]>news-6309<![CDATA[Løsningen på kulstofindkapslingsdefekten i siliciumcarbidsubstrater]]>news-6304<![CDATA[Hvad er siliciumcarbid(SiC)keramisk waferbåd?]]>news-6164<![CDATA[Hvorfor er SiC PVT krystalvækst stabil i masseproduktion?]]>news-6150<![CDATA[Hvordan opnår en tantalcarbid(TaC)-belægning langtidsservice under ekstrem termisk cykling?]]>news-5994<![CDATA[Hvordan stabiliserer tantalcarbidbelægninger det termiske PVT-felt?]]>news-5968<![CDATA[Hvorfor kan siliciumcarbid(SiC) PVT-krystalvækst ikke klare sig uden tantalcarbidbelægninger(TaC)?]]>news-5962<![CDATA[Hvad er bearbejdning og behandlingsmetoder for aluminiumoxidkeramik]]>news-5766<![CDATA[Hvorfor introduceres CO₂ under skiveudskæringsprocessen?]]>news-5756<![CDATA[Hvad er Notch on Wafers?]]>news-5746<![CDATA[Hvad er dishing og erosion i CMP-processen?]]>news-5735<![CDATA[VETEK til at deltage i SEMICON Europa 2025 i München, Tyskland]]>news-5727<![CDATA[Hvad er Silicon Wafer CMP Polishing Slurry?]]>news-5499<![CDATA[Hvad er CMP-poleringsslam-forberedelsesproces]]>news-5487<![CDATA[Hvad er Wafer CMP Polishing Slurry?]]>news-5478<![CDATA[Resumé af fremstillingsprocessen for siliciumcarbid (SiC).]]>news-5274<![CDATA[Hvordan omformer CMP-teknologi landskabet for spånfremstilling]]>news-5263<![CDATA[Hvad er en kvarts termokandespand?]]>news-5253<![CDATA[Anvendelsen af ​​kvartskomponenter i halvlederudstyr]]>news-5226<![CDATA[Udfordringerne ved siliciumcarbidkrystallvækstovne]]>news-4623<![CDATA[Intelligent skæreteknologi til kubisk siliciumcarbidskiver]]>news-4622<![CDATA[Hvad er kernematerialet til SIC -vækst?]]>news-4620 2000 ℃) og gitterpatchende egenskaber forbedrer kvaliteten af ​​SIC-epitaksiale skiver, hvilket reducerer defektdensiteten med mere end 40%, hvilket tilvejebringer en ideel substratopløsning til produktion af halvleder.]]><![CDATA[Hvad er nøjagtigt den tredje generation af halvleder?]]>news-4619<![CDATA[Hvad er en elektrostatisk chuck (ESC)?]]>news-4618<![CDATA[Forskning på SIC Wafer Carrier Technology]]>news-4616<![CDATA[Hvilke materialer bruges i halvleder keramiske komponenter?]]>news-4615<![CDATA[Hvad er den tredje generation af halvlederindustrien?]]>news-4467<![CDATA[Kvartsenheder i solcelleproduktion]]>news-4466<![CDATA[‌Optimering af defekter og renhed i Sic -krystaller ved TAC -belægning]]>news-44652600 ° C) vækst.]]><![CDATA[Hvad er SIC keramik?]]>news-4464<![CDATA[Hvad er en elektrostatisk chuck (ESC)?]]>news-4463<![CDATA[Fra fremstillingsprocessen med elektrostatiske sugekopper til masseproduktionsproducenter]]>news-4329<![CDATA[Hvad er glasagtig kulstof？ - veteksemicon]]>news-4229<![CDATA[Hvad er siliciumcarbidkeramik?]]>news-4228<![CDATA[Hvad er tantalcarbid (TAC)？]]>news-4227<![CDATA[Porøs siliciumcarbid (SIC) keramiske plader: højtydende materialer i halvlederfremstilling]]>news-3954<![CDATA[Hvad er en kvartsbåd?]]>news-3953<![CDATA[Hvad er en PECVD -grafitbåd?]]>news-3952<![CDATA[Hvordan vælger man MOCVD -grafitbakke?]]>news-3951<![CDATA[Hvad er forskellene mellem isotropisk grafit og siliconiseret grafit?]]>news-3950<![CDATA[Hvad er siliciumcarbid keramik?]]>news-3949<![CDATA[Hvor porøs grafit forbedrer siliciumcarbidkrystallvækst?]]>news-3311<![CDATA[CVD -teknologiinnovation bag Nobelprisen]]>news-3309<![CDATA[Hvad er SIC-coated grafitfølsomhed?]]>news-3303<![CDATA[Hvad er porøs grafit med høj renhed?]]>news-3300<![CDATA[De top 3 kvarts materielle leverandører i verden]]>news-3296<![CDATA[Hvad er siliciumcarbidkrystallvækst?]]>news-3293<![CDATA[Hvad er den epitaksiale proces?]]>news-3285<![CDATA[Hvordan opnår man krystalvækst af høj kvalitet? - sic krystalvækstovn]]>news-3276<![CDATA[De fire mest kraftfulde grafitproducenter i verden - Vetek]]>news-3253<![CDATA[Hvordan forbedrer SiC -belægningen oxidationsmodstanden for kulstoffelt？]]>news-3246<![CDATA[Tre SIC -krystalvækstteknologier]]>news-3233<![CDATA[Anvendelse og forskning af siliciumcarbidkeramik inden for fotovoltaik - Vetek Semiconductor]]>news-3219<![CDATA[Hvilke udfordringer står CVD TaC-belægningsprocessen for SiC-enkeltkrystalvækst over for i halvlederbehandling?]]>news-3209<![CDATA[Hvorfor er tantalcarbid (TaC) belægning overlegen i forhold til siliciumcarbid (SiC) belægning i SiC enkeltkrystalvækst? - VeTek halvleder]]>news-3201<![CDATA[Hvilket måleudstyr er der i Fab Factory? - Vetek Semiconductor]]>news-3193<![CDATA[Hvordan forbedrer TaC-belægning grafitkomponenternes levetid? - VeTek Semiconductor]]>news-3186<![CDATA[Hvad er den specifikke anvendelse af TAC -coatede dele i halvlederfeltet?]]>news-3170<![CDATA[Hvorfor svigter SiC-belagt grafitsusceptor? - VeTek Semiconductor]]>news-2702<![CDATA[Hvad er forskellene mellem MBE- og MOCVD -teknologier?]]>news-2701<![CDATA[Porøst tantalcarbid: En ny generation af materialer til SiC-krystalvækst]]>news-2700<![CDATA[Hvad er en epi -epitaksial ovn? - Vetek Semiconductor]]>news-2699<![CDATA[Halvlederproces: Kemisk dampaflejring (CVD)]]>news-2563<![CDATA[Hvordan løser man problemet med sintringsrevner i siliciumcarbidkeramik? - VeTek halvleder]]>news-2562<![CDATA[Hvad er trinstyret epitaksial vækst?]]>news-2354<![CDATA[Problemerne i ætsningsprocessen]]>news-2353<![CDATA[Hvad er hot presset sic keramik?]]>news-2352<![CDATA[Anvendelse af kulstofbaserede termiske feltmaterialer i siliciumcarbid krystalvækst]]>news-2351<![CDATA[Hvorfor får SiC-belægning så meget opmærksomhed? - VeTek Semiconductor]]>news-2350<![CDATA[Hvorfor skiller 3c-Sic sig ud blandt mange SIC-polymorfer? - Vetek Semiconductor]]>news-2349<![CDATA[Diamant - den fremtidige stjerne af halvledere]]>news-2177<![CDATA[Hvad er forskellen mellem siliciumcarbid (SIC) og gallium nitrid (GAN) applikationer? - Vetek Semiconductor]]>news-2116<![CDATA[Principper og teknologi for fysisk dampaflejring (PVD) belægning (2/2) - VeTek Semiconductor]]>news-2013<![CDATA[Principper og teknologi til fysisk dampaflejringsbelægning (1/2) - Vetek Semiconductor]]>news-2012<![CDATA[Hvad er porøs grafit? - Vetek Semiconductor]]>news-2011<![CDATA[Hvad er forskellen mellem siliciumcarbid og tantalcarbidbelægninger?]]>news-2010<![CDATA[En komplet forklaring af chipfremstillingsprocessen (2/2): Fra skive til emballering og test]]>news-1841<![CDATA[En komplet forklaring af chipfremstillingsprocessen (1/2): Fra skive til emballage og testning]]>news-1840<![CDATA[Hvor meget ved du om Sapphire?]]>news-1742<![CDATA[Hvad er temperaturgradienten for det termiske felt i en enkelt krystalovn?]]>news-1734<![CDATA[Hvor tynd kan Taiko -processen fremstille siliciumskiver?]]>news-1181<![CDATA[8-tommer SIC Epitaxial Furnace and Homoepitaxial procesundersøgelse]]>news-1178<![CDATA[Semiconductor substrat wafer: Materialeegenskaber af silicium, GaAs, SiC og GaN]]>news-1170<![CDATA[GAN-baseret lavtemperatur epitaxy-teknologi]]>news-1163<![CDATA[Hvad er forskellen mellem CVD TAC og sintret TAC?]]>news-1156<![CDATA[Hvordan forbereder jeg CVD TAC -belægning? - Veteksemicon]]>news-1151<![CDATA[Hvad er tantalcarbid TAC -belægning? - Veteksemicon]]>news-1147<![CDATA[Hvorfor er SIC -belægning et nøglemateriale til sic epitaksial vækst?]]>news-1143<![CDATA[Siliciumcarbid nanomaterialer]]>news-1131<![CDATA[Hvor meget ved du om CVD SIC? - Vetek Semiconductor]]>news-1118<![CDATA[Hvad er TAC -belægning? - Vetek Semiconductor]]>news-1102<![CDATA[Ved du om MOCVD -følger?]]>news-1108<![CDATA[Hvorfor er porøs tantalcarbid (TaC) belagt grafitring kritisk for pålidelig SiC-krystalvækst]]>news-8490<![CDATA[GTMS/CTMS Speciel grafitfiksturtilpasning: Micro-Hole Deep Machining Solution]]>news-8422<![CDATA[Hvorfor er High Purity Quartz Wafer Boat For TEL ved at blive afgørende for avanceret halvlederfremstilling]]>news-8347<![CDATA[Hvordan kan en glasagtig kulstofbelagt grafitdigel forbedre højtemperaturhalvledermaterialebehandling]]>news-8073<![CDATA[Hvorfor er hyperren grafit stiv filt essentiel til højtemperatur halvlederfremstilling]]>news-7953<![CDATA[Er SiC diffusionsovnsrør den ultimative løsning til højtemperaturhalvlederbehandling]]>news-7805<![CDATA[Hvorfor er en glasagtig kulstofbelagt grafitdigel det foretrukne valg til højrente halvleder- og krystalvækstapplikationer]]>news-7723<![CDATA[Hvorfor er en tantalcarbid-belægningsring afgørende for højtydende halvlederfremstilling]]>news-7628<![CDATA[Hvorfor er en stor størrelse modstandsopvarmning SiC krystalvækstovn nøglen til højkvalitets siliciumcarbidwaferproduktion]]>news-7395<![CDATA[Hvad gør SiC-belagt grafit-susceptor til ASM afgørende for stabile epitaksi-resultater?]]>news-7243<![CDATA[Hvad gør et CVD TaC-coatingdæksel pålideligt til højtemperaturhalvlederbehandling?]]>news-7125<![CDATA[Hvorfor betyder grafitbåd til PECVD så meget for filmkvalitet og produktionsstabilitet?]]>news-7023<![CDATA[Hvordan påvirker halvlederkvarts-diglens ydeevne krystalvækststabiliteten?]]>news-6943<![CDATA[Hvad gør højrent grafitpulver essentielt til avancerede halvledere og industrielle applikationer]]>news-6624<![CDATA[Hvad er en tantalkarbidbelægningsring, og hvorfor er den kritisk i halvlederbehandling]]>news-6515<![CDATA[Hvad gør SiC Ceramics Wafer Boat essentiel for moderne halvlederfremstilling]]>news-6320<![CDATA[Hvad er fordelene ved TaC-belægningsringe i halvlederapplikationer]]>news-6155<![CDATA[Hvad gør et højrent kvartsbad essentielt for avancerede halvlederprocesser]]>news-5979<![CDATA[Hvorfor skulle højrent SiC-pulver være hjertet i dit næste el-system]]>news-5515<![CDATA[‌VETEK vil deltage i 2025 SEMICON Europa-udstillingen i München, Tyskland]]>news-5509<![CDATA[Kan siliciumcarbidkeramik modstå ekstreme industrielle miljøer]]>news-5281<![CDATA[Er porøs grafit nøglen til hurtigere opladningsbatterier]]>news-4624<![CDATA[Dåse isotropisk grafit modstå ekstrem varme i høje temperaturovne]]>news-4621<![CDATA[Stadig bekymret for materielle ydeevne i miljøer med høj temperatur?]]>news-4617<![CDATA[Veteksemicon skinner på Shanghai SEMICON International Exhibition 2025]]>news-4129<![CDATA[Chip Manufacturing: Atomic Layer Deposition (ALD)]]>news-1123<![CDATA[Hvad er halvlederepitaksiproces?]]>news-1090<![CDATA[Hvad er forskellen mellem epitaxy og ALD?]]>news-1086<![CDATA[Hvad er CVD TAC -belægning? - Veteksemi]]>news-1084<![CDATA[Rul op! To store producenter er ved at masseproducere 8-tommer siliciumcarbid]]>news-668<![CDATA[Italiens LPE's 200 mm SiC epitaksiale teknologi fremskridt]]>news-667<![CDATA[Termisk feltdesign til sic enkelt krystalvækst]]>news-666<![CDATA[Udviklingshistorikken for 3c sic]]>news-664<![CDATA[ALD -atomlagsaflejring opskrift]]>news-663<![CDATA[Tantalum carbidteknologi gennembrud, sic epitaksial forurening reduceret med 75%?]]>news-662<![CDATA[Udforskende anvendelse af 3D-printteknologi i halvlederindustrien]]>news-325<![CDATA[Silicon (SI) Epitaxy Preparch Technology]]>news-324<![CDATA[Baseret på 8-tommer siliciumcarbid enkelt krystalvækstovnsteknologi]]>news-323<![CDATA[Kinesiske virksomheder udvikler angiveligt 5nm-chips med Broadcom!]]>news-322<![CDATA[Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: 8-tommer SiC-chips forventes at blive sat i produktion i december!]]>news-321<![CDATA[Anvendelse af tac-coatede grafitdele i enkeltkrystallovne]]>news-320<![CDATA[Forskellige tekniske ruter for SIC Epitaxial vækstovn]]>news-319<![CDATA[Materiale af siliciumcarbidepitaxy]]>news-75<![CDATA[Karakteristika for siliciumepitaxi]]>news-74<![CDATA[Anvendelser af fast siliciumcarbid]]>news-73