Nyheder

I halvlederfremstillingsindustrien, da enhedsstørrelsen fortsætter med at krympe, har deponeringsteknologien af ​​tynde filmmaterialer stillet hidtil uset udfordringer. Atomlagaflejring (ALD), som en tynd filmaflejringsteknologi, der kan opnå præcis kontrol på atomniveau, er blevet en uundværlig del af fremstilling af halvleder. Denne artikel sigter mod at introducere processtrømmen og principperne for ALD for at hjælpe med at forstå dens vigtige rolle i avanceret chipfremstilling.

Det er ideelt at bygge integrerede kredsløb eller halvlederenheder på et perfekt krystallinsk basislag. Epitaksi (epi) processen i halvlederfremstilling har til formål at afsætte et fint enkeltkrystallinsk lag, sædvanligvis omkring 0,5 til 20 mikrometer, på et enkeltkrystallinsk substrat. Epitaksiprocessen er et vigtigt trin i fremstillingen af ​​halvlederenheder, især ved fremstilling af siliciumwafer.

Den største forskel mellem epitaxy og atomlagets deponering (ALD) ligger i deres filmvækstmekanismer og driftsbetingelser. Epitaxy henviser til processen med at dyrke en krystallinsk tynd film på et krystallinsk underlag med et specifikt orienteringsforhold, der opretholder den samme eller lignende krystalstruktur. I modsætning hertil er ALD en deponeringsteknik, der involverer at udsætte et underlag for forskellige kemiske forløbere i rækkefølge for at danne et tyndt film et atomlag ad gangen.

CVD TAC coating er en proces til at danne en tæt og holdbar coating på et underlag (grafit). Denne metode involverer aflejring af TaC på substratoverfladen ved høje temperaturer, hvilket resulterer i en tantalcarbid (TaC) belægning med fremragende termisk stabilitet og kemisk resistens.

Efterhånden som 8-tommer siliciumcarbid (SiC)-processen modnes, accelererer producenter skiftet fra 6-tommer til 8-tommer. For nylig annoncerede ON Semiconductor og Resonac opdateringer om 8-tommer SiC-produktion.

Denne artikel introducerer den seneste udvikling i den nydesignede PE1O8 varmvæg CVD-reaktor fra det italienske firma LPE og dens evne til at udføre ensartet 4H-SiC-epitaksi på 200 mm SiC.