Nyheder

Denne artikel beskriver de fysiske parametre og produktegenskaber ved Vetek Semiconductors porøse grafit såvel som dets specifikke applikationer i halvlederbehandling.

Denne artikel analyserer produktkarakteristika og påføringsscenarier af tantalcarbidbelægning og siliciumcarbidbelægning fra flere perspektiver.

Tynd filmaflejring er afgørende i chipfremstilling, hvilket skaber mikroenheder ved at deponere film under 1 mikron tyk via CVD, ALD eller PVD. Disse processer bygger halvlederkomponenter gennem skiftevis ledende og isolerende film.

Halvlederfremstillingsprocessen involverer otte trin: Wafer -behandling, oxidation, litografi, ætsning, tyndfilmaflejring, sammenkobling, test og emballage. Silicium fra sand behandles til skiver, oxideres, mønstres og ætses til højpræcisionskredsløb.

Denne artikel beskriver, at LED -substrat er den største anvendelse af safir, såvel som de vigtigste metoder til fremstilling af safirkrystaller: dyrkning af safirkrystaller ved hjælp af Czochralski -metoden, voksende sapphire -krystaller ved kyropoulos -metoden, voksende sapphire -krystaller ved hjælp af den guidede formmetode og voksende safire -krystaller ved varmevekslingsmetoden.

Artiklen forklarer temperaturgradienten i en enkelt-krystalovn. Det dækker de statiske og dynamiske varmefelter under krystalvækst, den faste væske-grænseflade og temperaturgradientens rolle i størkning.