Nyheder

Diamond, en potentiel fjerde generation "Ultimate Semiconductor", vinder opmærksomhed i halvledersubstrater på grund af dens ekstraordinære hårdhed, termiske ledningsevne og elektriske egenskaber. Mens dens høje omkostninger og produktionsudfordringer begrænser brugen, er CVD den foretrukne metode. På trods af doping og krystaludfordringer i stor areal, løfter Diamond løfte.

SIC og GaN er brede båndgap -halvledere med fordele i forhold til silicium, såsom højere nedbrydningsspændinger, hurtigere skifthastigheder og overlegen effektivitet. SIC er bedre til højspændingsapplikationer med høj effekt på grund af dens højere termiske ledningsevne, mens GaN udmærker sig i højfrekvente applikationer takket være dens overlegne elektronmobilitet.

Elektronstrålefordampning er en yderst effektiv og meget brugt belægningsmetode sammenlignet med modstandsopvarmning, som opvarmer fordampningsmaterialet med en elektronstråle, hvilket får det til at fordampe og kondensere til en tynd film.

Vakuumbelægning inkluderer filmmateriale fordampning, vakuumtransport og tynd filmvækst. I henhold til de forskellige filmmateriale fordampningsmetoder og transportprocesser kan vakuumbelægning opdeles i to kategorier: PVD og CVD.

Denne artikel beskriver de fysiske parametre og produktegenskaber ved Vetek Semiconductors porøse grafit såvel som dets specifikke applikationer i halvlederbehandling.

Denne artikel analyserer produktkarakteristika og påføringsscenarier af tantalcarbidbelægning og siliciumcarbidbelægning fra flere perspektiver.