Nyheder

Med den voksende efterspørgsel efter SIC -materialer inden for kraftelektronik, optoelektronik og andre felter, vil udviklingen af ​​SIC -krystalvækstteknologi blive et vigtigt område med videnskabelig og teknologisk innovation. Som kernen i SIC enkelt krystalvækstudstyr vil termisk feltdesign fortsat få omfattende opmærksomhed og dybdegående forskning.

Gennem kontinuerlig teknologisk fremgang og dybdegående mekanismeforskning forventes 3C-SIC Heteroepitaxial Technology at spille en vigtigere rolle i halvlederindustrien og fremme udviklingen af ​​elektroniske enheder med høj effektivitet.

Rumlig ALD, rumligt isoleret atomlagsaflejring. Skiven bevæger sig mellem forskellige positioner og udsættes for forskellige forløbere på hver position. Figuren nedenfor er en sammenligning mellem traditionel ALD og rumligt isoleret ALD.

For nylig har det tyske forskningsinstitut fraunhofer IISB lavet et gennembrud i forskningen og udviklingen af ​​tantalcarbombelægningsteknologi og udviklet en spraybelægningsopløsning, der er mere fleksibel og miljøvenlig end CVD -afsætningsopløsningen og er blevet kommercialiseret.

I en æra med hurtig teknologisk udvikling ændrer 3D-print, som en vigtig repræsentant for avanceret fremstillingsteknologi, gradvist ansigtet for traditionel fremstilling. Med den fortsatte modenhed af teknologi og reduktionen af ​​omkostningerne har 3D-printteknologi vist brede anvendelsesmuligheder inden for mange områder, såsom rumfart, bilproduktion, medicinsk udstyr og arkitektonisk design, og har fremmet innovation og udvikling af disse industrier.

Enkelt krystalmaterialer alene kan ikke imødekomme behovene i den voksende produktion af forskellige halvlederenheder. I slutningen af ​​1959 blev der udviklet et tyndt lag med enkelt krystalmaterialvækstteknologi - epitaksial vækst.