Hjem
Om os
Om virksomheden
FAQ
Produkter
Tantalcarbid belægning
SIC Single Crystal Growth Process Reservedele
SiC epitaksiproces
UV LED-modtager
Siliciumcarbid belægning
Fast siliciumcarbid
Silicium epitaxy
Siliciumcarbidepitaxy
MOCVD teknologi
RTA/RTP-proces
ICP/PSS ætsningsproces
Anden proces
ALD
Speciel grafit
Pyrolytisk kulstofbelægning
Glasagtig kulstofbelægning
Porøs grafit
Isotropisk grafit
Siliconiseret grafit
Grafitark med høj renhed
Kulfiber
C/c komposit
Stiv filt
Blød filt
Siliciumcarbid keramik
Sic pulver med høj renhed
Oxidation og diffusionsovn
Anden halvlederkeramik
Halvlederkvarts
Aluminiumoxidkeramik
Siliciumnitrid
Porøs sic
Wafer
Overfladebehandlingsteknologi
Teknisk Service
Nyheder
Virksomhedsnyheder
Industri -nyheder
Hent
Hent
Send forespørgsel
Kontakt os
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
Webmenu
Hjem
Om os
Om virksomheden
FAQ
Produkter
Tantalcarbid belægning
SIC Single Crystal Growth Process Reservedele
SiC epitaksiproces
UV LED-modtager
Siliciumcarbid belægning
Fast siliciumcarbid
Silicium epitaxy
Siliciumcarbidepitaxy
MOCVD teknologi
RTA/RTP-proces
ICP/PSS ætsningsproces
Anden proces
ALD
Speciel grafit
Pyrolytisk kulstofbelægning
Glasagtig kulstofbelægning
Porøs grafit
Isotropisk grafit
Siliconiseret grafit
Grafitark med høj renhed
Kulfiber
C/c komposit
Stiv filt
Blød filt
Siliciumcarbid keramik
Sic pulver med høj renhed
Oxidation og diffusionsovn
Anden halvlederkeramik
Halvlederkvarts
Aluminiumoxidkeramik
Siliciumnitrid
Porøs sic
Wafer
Overfladebehandlingsteknologi
Teknisk Service
Nyheder
Virksomhedsnyheder
Industri -nyheder
Hent
Hent
Send forespørgsel
Kontakt os
Produktsøgning
Sprog
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
Afslut menu
Hjem
Hent
Hent
Flere detaljer om produktparametre, mere omfattende teknisk vejledning, se venligst vores PDF, eller kontakt os direkte.
Hent
VeTek Semiconductor Sikkerheds-, Sundheds- og Miljøpolitik
Vetek Semiconductor
SiC-pulver med høj renhed
«
1
»
Nyhedsanbefalinger
Hvordan omformer CMP-teknologi landskabet for spånfremstilling
Se mere >>
Hvad er en PECVD -grafitbåd?
Se mere >>
Hvad er temperaturgradienten for det termiske felt i en enkelt krystalovn?
Se mere >>
Tantalum carbidteknologi gennembrud, sic epitaksial forurening reduceret med 75%?
Se mere >>
Porøs siliciumcarbid (SIC) keramiske plader: højtydende materialer i halvlederfremstilling
Se mere >>
Dåse isotropisk grafit modstå ekstrem varme i høje temperaturovne
Se mere >>
WhatsApp
Tina
E-mail
Andy
VeTek
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy
Reject
Accept
Efterlad en besked for at downloade vores brochure
Indsend