Sic pulver med høj renhed

1. høj renhed: SIC -indhold er 99.9999%, urenhedsindholdet er meget lavt, hvilket reducerer den negative indvirkning på ydeevnen for halvleder- og fotovoltaiske enheder og forbedrer produkternes konsistens og pålidelighed.

2. Fremragende fysiske egenskaber: inklusive høj hårdhed, høj styrke og høj slidstyrke, så det kan opretholde god strukturel stabilitet under behandling og anvendelse.

3. høj termisk ledningsevne: kan hurtigt udføre varme, hjælpe med at forbedre enhedens varmeafledningseffektivitet, reducere driftstemperaturen og derved udvide enhedens levetid.

4. Lav ekspansionskoefficient: Størrelsesændringen er lille, når temperaturen ændres, hvilket reducerer nedgangen af ​​materialet eller ydelsen forårsaget af termisk ekspansion og sammentrækning.

5. God kemisk stabilitet: Syre- og alkalikorrosionsbestandighed kan forblive stabil i komplekst kemisk miljø.

6. Brede båndgapkarakteristika: Med høj nedbrydning af elektrisk feltstyrke og elektronmætningsdrifthastighed, der er egnet til fremstilling af høj temperatur, højtryk, højfrekvens og højeffekthalvlederindretninger.

7. Høj elektronmobilitet: Det er befordrende for at forbedre arbejdshastigheden og effektiviteten af ​​halvlederenheder.

8. Miljøbeskyttelse: Relativt lille forurening til miljøet i processen med produktion og anvendelse.

Halvlederindustri:

- Substratmateriale: SIC-pulver med høj renhed kan bruges til at fremstille siliciumcarbidsubstrat, som kan bruges til at fremstille højfrekvent, høje temperatur, højtrykseffektanordninger og RF-enheder.

Epitaksial vækst: I halvlederfremstillingsprocessen kan der anvendes højrulitetssiliciumcarbidpulver som et råmateriale til epitaksial vækst, der bruges til at dyrke siliciumcarbid-epitaksiale lag i høj kvalitet på underlaget.

-Pakningsmaterialer: Siliciumcarbidpulver med høj renhed kan bruges til at fremstille halvlederemballagematerialer for at forbedre pakkernes varmeafledning og pålidelighed.

Fotovoltaisk industri:

Krystallinske siliciumceller: I fremstillingsprocessen for krystallinske siliciumceller kan siliciumcarbidpulver med høj renhed anvendes som en diffusionskilde til dannelse af P-N-kryds.

- Tynd filmbatteri: I fremstillingsprocessen med tyndfilmbatteri kan siliciumcarbidpulver med høj renhed bruges som et mål til sputtering af deponering af siliciumcarbidfilm.