Prøvekortlægning

Baseret på den fysiske prøve leveret af kunden (selvom det er en slidt eller brækket brugt del), tilbyder vi en fuldspektret service, der spænder fra fysisk struktur reverse engineering til fysisk-kemisk karakterisering på materialeniveau. Ved at udnytte højpræcisionsinspektionsudstyr af halvlederkvalitet kvantificerer vi præcist komplekse 3D geometriske strukturer, belægnings-/substratgrænsefladeegenskaber og fysiske materialeparametre, hvilket sikrer, at det omvendte manipulerede produkt opfylder eller overgår OEM-standarder i fysisk pasform, proceskompatibilitet og levetid (Form-Fit-Function Replacement).

Hvad vi måler (tekniske leverancer):

• Dimensionelle og geometriske tolerancer:Ved at bruge højpræcisionskoordinatmålemaskiner (CMM) og optiske 3D-scannere udfører vi punktsky-modellering i fuld størrelse og rekonstruktion af komplekse hulrumsstrukturer og monterings-/lokaliseringshuller, hvilket opnår nøjagtighed på mikronniveau.
• Overflademikromorfologi og fladhed:Anvendelse af interferometre med hvidt lys og optiske profilometre til at evaluere overfladeruhed (Ra) i nanometerskala og fladhed i store områder, der opfylder kravene til waferhåndtering og kammertætning.
• Edge mikrofunktioner:Kortlægning med høj forstørrelse af kant R-radii og affasning mikroprofiler for at optimere belægningens stigningsmorfologi og undgå stresskoncentration ved skarpe hjørner, der kan forårsage delaminering ved høj temperatur.
• Grafitsubstrat og termisk matchningsanalyse:Vurdering af grafitsubstratdensitet med høj renhed, kornstørrelse og termisk udvidelseskoefficient (CTE) for at sikre termisk spændingsmatchning mellem substrat og CVD-belægning.
• Coating Tværsnit & Interface Limning Kvalitet:Ikke-destruktiv XRF og metallografisk tværsnit SEM-analyse til måling af absolut tykkelse, radial ensartethed af CVD-belægningen og grænsefladegennemtrængningsdybde.
• Fasestruktur og mikrokrystalanalyse:XRD-evaluering af kubisk fase (β-SiC) renhed af CVD SiC; kvalitativ vurdering af kemisk støkiometri og krystalstrukturkarakteristika for CVD TaC.

Virkelig sag og kundefordele (erfaring):

En 12-tommer halvlederætsningskomponentkunde:OEM-forsyning ophørt; kun en slidt brugt del var tilgængelig. Gennem CMM omvendt modellering + SEM-belægningstværsnitsanalyse gennemførte vi udvikling af erstatningsdele og test på værktøjet inden for 2 måneder uden nogen originale tegninger, hvilket opnåede 100 % installationspasning. I sidste ende blev komponentindkøbscyklussen reduceret fra den oprindelige 6-måneders importgennemløbstid til 2 måneder, enhedsindkøbsomkostninger faldt med 42 %, og denne model er blevet stabilt leveret til mere end 30 batches.

Siliciumcarbid (SiC) belægning på SEM belægning tværsnit

FAQ

Start din eksklusive service nu