CVD TAC Coated tre-Petal Guide Ring

Siliciumcarbid -enkeltkrystallsubstratmateriale er et slags krystalmateriale, der hører til bredt båndhårmateriale. Det har fordelene ved høj spændingsmodstand, høj temperaturresistens, højfrekvens, lavt tab osv. Det er et grundlæggende materiale til fremstilling af elektroniske enheder med høj effekt effekt og mikrobølgeovn. På nuværende tidspunkt er de vigtigste metoder til dyrkning af SIC -krystaller fysisk damptransport (PVT -metode), kemisk dampaflejring med høj temperatur (HTCVD -metode), flydende fase -metode osv.

Den fysiske damptransport (PVT) -metode er en velet -etableret teknik, der er meget velegnet til industriel produktion i stor skala. I denne proces placeres en Sic Seed -krystal øverst på diglen, mens Sic -pulver, der tjener som råmateriale, anbringes i digelbunden. Under betingelserne med høj temperatur og lavt tryk i et lukket miljø sublimeres SIC -pulver. Drevet af temperaturgradienten og koncentrationsforskellen bevæger den sublimerede art sig opad mod regionen nær frøkrystallen. Når man når en overmættet tilstand, forekommer omkrystallisation, hvilket giver mulighed for præcis kontrol over størrelsen og den specifikke krystaltype af de dyrkede SIC -krystaller.

CVD TAC -belagt tre - Petal Guide Ring tjener flere vigtige funktioner. Primært forbedrer det væskemekanik ved at vejlede gasstrømmen og sikre, at krystalvækstområdet udsættes for en ensartet atmosfære. Derudover spreder det effektivt varme under SIC -krystalvækstprocessen. Ved at opretholde den passende temperaturgradient optimerer den vækstbetingelserne for SIC -krystaller og mindsker risikoen for krystaldefekter forårsaget af ujævn temperaturfordeling.