CVD TaC belægning planetarisk SiC epitaksial susceptor

Aixtron planetreaktor er en af ​​de mest avanceredeMOCVD udstyr. Det er blevet en læringsskabelon for mange reaktorproducenter. Baseret på princippet om en horisontal laminær strømningsreaktor sikrer den en klar overgang mellem forskellige materialer og har uovertruffen kontrol over aflejringshastigheden i det enkelte atomlagsområde, idet den aflejres på en roterende wafer under specifikke forhold. 

Hule mest kritiske af disse er den multiple rotationsmekanisme: Reaktoren anvender flere rotationer af CVD TaC-belægningen planetarisk SiC epitaksial susceptor. Denne drejning gør det muligt for waferen at blive jævnt udsat for reaktionsgassen under reaktionen, hvorved det sikres, at materialet aflejret på waferen har fremragende ensartethed i lagtykkelse, sammensætning og doping.

TaC keramik er et højtydende materiale med højt smeltepunkt (3880°C), fremragende termisk ledningsevne, elektrisk ledningsevne, høj hårdhed og andre fremragende egenskaber, det vigtigste er korrosionsbestandighed og oxidationsbestandighed. Til de epitaksiale vækstbetingelser for SiC- og gruppe III-nitrid-halvledermaterialer har TaC fremragende kemisk inerti. Derfor har CVD TaC-belægningen planetarisk SiC epitaksial susceptor fremstillet ved CVD-metoden åbenlyse fordele iSiC epitaksial vækstbehandle.

SEM-billede af tværsnittet af TaC-belagt grafit

●  Høj temperaturbestandighed: SiC epitaksial væksttemperatur er så høj som 1500℃ - 1700℃ eller endnu højere. Smeltepunktet for TaC er så højt som omkring 4000 ℃. EfterTaC belægningpåføres grafitoverfladen, dengrafit delekan opretholde god stabilitet ved høje temperaturer, modstå de høje temperaturforhold for SiC epitaksial vækst og sikre en jævn fremgang af epitaksial vækstprocessen.

●  Forbedret korrosionsbestandighed:TaC-belægningen har god kemisk stabilitet, isolerer effektivt disse kemiske gasser fra kontakt med grafit, forhindrer grafit i at blive korroderet og forlænger levetiden for grafitdele.

●  Forbedret varmeledningsevne: TaC-belægningen kan forbedre den termiske ledningsevne af grafit, så varmen kan fordeles mere jævnt på overfladen af ​​grafitdelene, hvilket giver et stabilt temperaturmiljø for SiC epitaksial vækst. Dette hjælper med at forbedre vækstens ensartethed af SiC epitaksiallaget.

●  Reducer kontaminering af urenheder:TaC-belægningen reagerer ikke med SiC og kan tjene som en effektiv barriere til at forhindre urenhedselementer i grafitdelene i at diffundere ind i SiC-epitaksiallaget og derved forbedre renheden og ydeevnen af ​​SiC-epitaksialwaferen.

VeTek Semiconductor er i stand og god til at lave CVD TaC-belægning planetarisk SiC epitaksial susceptor og kan give kunderne meget tilpassede produkter. vi ser frem til din forespørgsel.

Fysiske egenskaber vedTantalcarbid belægning 

VeTek Semiconductor produktionsbutikker