4 tommer isolering stiv filt - krop leveret af Vetek Semiconductor er et stift isoleringsmateriale lavet af kulfibermateriale af høj kvalitet. Det har fremragende isoleringsydelse og holdbarhed. Det kan effektivt isolere varme, lyd og chok og er velegnet til forskellige applikationer. Vetek Semiconductor ser frem til at etablere et langsigtet samarbejdsforhold til dig og blive partner på det globale marked. Velkommen til at spørge.
Som en professionel 4 tommer isolering, der er stiv filt - kropsproducent, kan du være sikker på at købe 4 tommer isolering stiv filt - krop fra Vetek Semiconductors fabrik.
Isolering Stiv filt er en slags sammensat isoleringsmateriale, der er specielt designet til ekstrem miljø med høj temperatur, brugen af kulfiber og carbondaminering af laminering af carbonklud, kombineret med høj temperaturcarbonisering/grafitiseringsbehandlingsteknologi, har ultrahøj renhed (ASH ≤10 ppm), fremragende termisk stabilitet og mekanisk styrke. Materialet er designet til brug i termiske isoleringssystemer i siliciumcarbid (SIC) enkeltkrystallvækstovne for at imødekomme den krævende termiske feltuniformitet, temperaturgradient og urenhedskontrolkrav i den fysiske dampoverførselsmetode (PVT) -metoden.
Materielle og procesegenskaber
Sammensatte struktur design
Overfladecarbonkludforstærkning: Gennem en speciel proces til carbonfiber følt og høj densitet carbon kludkomposit, overfladen til dannelse af et tæt beskyttende lag, forhindrer effektivt luftvask med høj temperatur og fiberudgydelse, reducerer frigivelsen af urenheder.
Integrationsprocessen med flere lag: Kerneelaget er carbonfiberens følte, og grafitpapiret eller carbonduken er indlejret i midten. Efter sekundær oprensning af høj temperatur (≥2000 ℃) er materialestrukturen fortsat, og urenhederne fjernes dybt.
Ultra-lav urenhedsrenhed
Askindhold ≤10 ppm, sørg for, at der ikke er nogen metalioner, SIO₂ og andre urenheder flygtige i højtemperaturmiljø, undgå forurenende krystalvækstgrænsefladen, forbedre renheden af siliciumcarbid enkeltkrystall- og defektstyringsniveau 19.
Procestilpasningsevne
Tilpassede overfladebehandlinger (f.eks
Kerneprestationsparameter
Indikatorparameterområde
Funktion
Densitet
0,42 ~ 0,55 g/cm³
Termisk ledningsevne (1500 ℃)
0,10-0,81 W/(M · K)
Bøjningsstyrke
1,0 ~ 2,66MPa
Trykstyrke
0,91 ~ 3,2MPa
Resistivitet
1000 ~ 5000 Ω · mm²/m
Maksimal driftstemperatur (vakuum)
≥3000 ℃
Anvendelsesfelter og fordele
Siliciumcarbid Enkeltkrystallovn Hot Field Isolation
Som kernematerialet i ovnisoleringslaget kan det reducere varmetab, opretholde vækstgrænsefladetemperaturgradienten (ΔT≈20-50 ℃/cm) og sikre, at den aksiale/radiale vækstrate for krystaller er afbalanceret.
Brugt med blød filt til at danne en gradientisoleringsstruktur, reducere termisk stress og forlænge levetiden på det termiske felt.
Konkurrencefordel
Termisk stabilitet: Lav koefficient for termisk ekspansion (CTE <2 × 10⁻⁶/℃), fremragende termisk stødmodstand, velegnet til gentagne stigende og kølingsforhold.
Økonomi: Sammenlignet med traditionel blød filt øges levetiden med 3-5 gange, hvilket reducerer hyppigheden af udskiftning af varmt felt og produktionsomkostninger.
Tilpasning: Supportcylinder, plade og andre former for behandling, dimensionel nøjagtighed op til ± 0,5 mm, velegnet til forskellige ovndesign.
Typisk applikationssag
Vakuumhøjttryksgas slukningsovn
SIC-krystalvækst i stor størrelse: For 8-tommer krystalovne
Oversigt over Semiconductor Chip Epitaxy Industry Chain:
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Vi bruger cookies til at tilbyde dig en bedre browsingoplevelse, analysere trafik på webstedet og tilpasse indhold. Ved at bruge denne side accepterer du vores brug af cookies. Privatlivspolitik