VeTek Aluminum Nitride Ceramic Electrostatic Chucks (ESC'er) er wafer-klemmeplatforme med høj termisk ledningsevne konstrueret til halvlederprocesværktøjer, der kræver præcis temperaturkontrol, stabil elektrostatisk fastholdelse og lav partikeldannelse. Fremstillet af højrent AlN-keramik leverer disse patroner fremragende varmespredning, høj elektrisk isolering og pålidelig Coulomb eller Johnsen-Rahbek fastspænding til 150 mm, 200 mm og 300 mm wafer-processer.
•AlN-keramik med høj renhed med varmeledningsevne op til ~180 W/m·K for effektiv varmeoverførsel og temperaturensartethed
•Stærk elektrisk isolering og høj volumenresistivitet, der understøtter stabil fastspænding ved 1-3 kV (højere spændinger tilgængelig)
•Brugerdefinerede dielektriske lagmaterialer og elektrodelayouts: Coulomb eller Johnsen–Rahbek (JR); enkelt eller multi-zone
•Hurtig klemme- og afspændingsydelse, typisk under 0,1 sekund
•Fordybningsmikrostrukturer i overfladen ned til ~300 μm diameter, hvilket reducerer kontaktarealet til så lavt som ~1 %
•Høj fladhedsevne; typisk global fladhed i størrelsesordenen 0,5-3 μm PV for 300 mm klasse platforme
•Tæt mikrostruktur med næsten nul vandabsorption og god kemisk resistens til procesmiljøer
2.Typiske applikationer
Aluminiumnitrid keramiske elektrostatiske patroner bruges i procestrin, der kræver både sikker waferholding og kontrolleret termisk adfærd:
•Tør plasmaætsning (ICP / RIE) og relaterede kammerprocesser
•CVD, PEALD, termisk ALD og andre tyndfilmsaflejringsstadier
•Udglødning og termiske procesmoduler, der kræver ensartet wafertemperatur
•Inspektions-, metrologi- og præcisionstrin, hvor lavt partikelindhold og stabil fastspænding er kritisk
3.AlN materialekvaliteter – typiske egenskaber
VeTek tilbyder flere aluminiumnitridkvaliteter for at balancere termisk ledningsevne, mekanisk styrke og omkostninger for ESC-design:
Ejendom
AIN-HC95
AIN-HP95
AIN99
AIN999
AIN-HP999
AIN-HP999LR
Farve
Grå
Grå
Grå
Grå
Grå
Grå
Renhed
≥95 %
≥95 %
≥99 %
≥99,9 %
≥99,9 %
≥99,9 %
Massefylde (g/cm³)
3.3
3.3
3.3
3.2
3.3
3.3
Vandabsorption (%)
0
0
0
0
0
0
HV-hårdhed (GPa)
10
10
10
10
10
10
Bøjestyrke (MPa)
380
400
350
310
360
310
Elastikmodul (GPa)
320
300
300
300
300
300
Brudsejhed
3
3.4
3
2.8
2.3
3.3
CTE (×10⁻⁶/°C)
4.6
5.7
5.2
5.5
5.7
5.4
Termisk ledningsevne
180
180
100
90
90
90
Termisk stød (°C)
400
500
—
—
350
—
Dielektrisk styrke
16
16
—
16
—
—
Volumenresistivitet
1×10¹⁴
1×10¹⁵
1×10¹⁵
—
1×10¹⁵
Justerbar
Dielektrisk konstant
8.6
8.6
8.5
8.5
—
—
Enheder: Termisk ledningsevne i W/(m·K); dielektrisk styrke i kV/mm; volumenresistivitet i Ω·cm (25 °C); dielektrisk konstant ved 1 MHz. Værdier er typiske og kan variere med proces- og emnegeometri.
4.Typiske ESC-designparametre
Parameter
Typisk værdi/interval
Keramisk materiale
Aluminiumnitrid (AlN)
ESC type
Coulomb / Johnsen–Rahbek (JR)
Elektrode layout
Enkelt- eller multi-zone
Fremstillingsrute
Varmpresning (AlN foretrækkes til høj-TC kvaliteter)
VeTek Semiconductor integrerer avanceret AlN-keramik med præcisions-ESC-fremstilling til halvlederkunder, der har brug for både termisk ydeevne og pålidelig fastspænding:
•Flere AlN-kvaliteter med termisk ledningsevne fra ~90 til ~180 W/m·K for at matche processens termiske budgetter
•Fleksibel elektrode og dielektrisk design til Coulomb eller JR fastspændingsadfærd
•Tæt kontrol af fladhed, overflademikrostruktur og elektrisk isoleringsydelse
•Fuld livscyklussupport: design, nybygning og renovering på flere niveauer
Til ætsning, aflejring og termiske værktøjer, der afhænger af ensartet wafer-temperatur og ren, repeterbar fastspænding, giver VeTek Aluminium Nitride Ceramic Electrostatic Chucks en højtydende keramisk platform understøttet af applikationsfokuseret teknisk support.
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Vi bruger cookies til at tilbyde dig en bedre browsingoplevelse, analysere trafik på webstedet og tilpasse indhold. Ved at bruge denne side accepterer du vores brug af cookies. Privatlivspolitik