Industri -nyheder

Siliciumcarbid omformer halvlederindustrien til strøm og høje temperaturapplikationer med dets omfattende egenskaber, fra epitaksiale underlag til beskyttende belægninger til elektriske køretøjer og vedvarende energisystemer.

Høj renhed: Silicium-epitaksiallaget dyrket ved kemisk dampaflejring (CVD) har ekstrem høj renhed, bedre overfladeflade og lavere defekttæthed end traditionelle wafers.

Solid siliciumcarbid (SIC) er blevet et af de vigtigste materialer i halvlederfremstilling på grund af dets unikke fysiske egenskaber. Følgende er en analyse af dens fordele og praktisk værdi baseret på dens fysiske egenskaber og dens specifikke anvendelser i halvlederudstyr (såsom wafer -bærere, bruserhoveder, ætsning af fokusringe osv.).