Veeco MOCVD Providence

Det halvlederVeeco MocvdWafer Sceptor er en kritisk komponent, omhyggeligt konstrueret ved hjælp af ultrapure grafit med enSiliciumcarbid (sic) belægning. DenneSic coatingGiver adskillige fordele, især muliggør effektiv termisk overførsel til underlaget. At opnå optimal termisk fordeling over underlaget er afgørende for ensartet temperaturkontrol, hvilket sikrer ensartet tyndfilmaflejring af høj kvalitet, hvilket er afgørende i fabrikation af halvlederindretning.

Tekniske parametre

Matrix af materielle egenskaber

Nøgleindikatorer Vetek Standard traditionelle løsninger

Basismateriale renhed 6n isostatisk grafit 5N støbt grafit

CTE matchende grad (25-1400 ℃) Δα ≤0,3 × 10⁻⁶/ k Δα ≥1,2 × 10⁻⁶/ k

Termisk ledningsevne @800 ℃ 110 W/M · K 85 W/M · K

Surface Roughness (RA) ≤0,1 μm ≥0,5 μm

Syretolerance (ph = 1@80 ℃) 1500 cyklusser 300 cyklusser

Genopbygning af kernefordel

Thermal Management Innovation

Atomisk CTE -matchingsteknik

Japan Toyo Carbon Graphite/SGL Substrat + Gradient SIC Coating

Termisk cyklusstress reduceret med 82% (målt 1400 ℃↔RT 500 cyklusser uden at revne)

Intelligent termisk feltdesign

12-zone temperaturkompensationsstruktur: opnår ± 0,5 ℃ ensartethed på overfladen af ​​φ200mm skiven

Dynamisk termisk respons: Temperaturgradient ≤1,2 ℃/cm ved 5 ℃/s opvarmningshastighed

Kemisk beskyttelsessystem
Triple Composite Barrier

50μm tæt SIC -hovedbeskyttelseslag

NANOTAC -overgangslag (valgfrit)

Gasfaseinfiltrationsforsikring

Bekræftet af ASTM G31-21:

Cl Base Corrosion Rate <0,003 mm/år

NH3 udsat for 1000 timer uden korngrænse korrosion

Intelligent fremstillingssystem

Digital tvillingbehandling

Fem-akset bearbejdningscenter: positionsnøjagtighed ± 1,5 μm

Online 3D -scanningsinspektion: 100% verifikation i fuld størrelse (i overensstemmelse med ASME Y14.5)

Scenariebaseret værdipræsentation

Tredje generation af halvledermasseproduktion

Applikationsscenarieprocesparametre Kundefordele

GaN HEMT 6 tommer /150 μm epitaksial to-dimensionel elektrongasdensitet Fluktuation <2%

SIC MOSFET C Dopinguniformitet ± 3% tærskelspændingsafvigelse reduceres med 40%

Mikro -LED -bølgelængdeuniformitet ± 1,2 nm chip bin rate steg med 15%

Optimering af vedligeholdelsesomkostninger

Rengøringsperioden forlænges med 3 gange: HF: HNO ₃ = 1: 3 rengøring med høj intensitet understøttes

Reservedele Livsforudsigelsessystem: AI -algoritme -nøjagtighed på ± 5%

Vetek Semiconductor Veoeco MOCVD SCEPTOR SHOPS: