Aluminiumnitrid (AlN) wafers

1. Nøglefunktioner og fordele

• Ultrabredt båndgab ≈ 6,2 eV — højest blandt almindelige halvledermaterialer

• Høj varmeledningsevne ≈ 320 W/m·K for effektiv varmeafledning

• Fremragende elektrisk isolering (>10¹³ Ω·cm) og højt nedbrydningsfelt (12–15 MV/cm)

• Godt gitter- og termisk udvidelsesmatch med GaN - ideel til GaN-på-AlN-heterostrukturer

• Muligheder for lav dislokationstæthed med stram HR-XRD vippekurvekontrol

• Al-face CMP (Ra ≤ 0,5 nm) og N-face MP til epi-klare overflader

• Flere størrelser og kvalitetskvaliteter (P / R / D) for at matche produktions- og forskningskrav

2. Typiske anvendelser

• Højeffekt RF-enheder til radar- og 6G-kommunikation

• Højspændingsstrømelektronik til net, datacentre og elektriske køretøjer

• Dyb-ultraviolette (UVC) LED'er og laserdioder

• GaN-on-AlN epitaksial vækst og avancerede heterostrukturenheder

• Halvlederkomponenter med høj temperatur, høj frekvens og barske omgivelser

3. Tilgængelige størrelser og kvaliteter

VeTek tilbyder AlN wafers i følgende standardformater. Brugerdefinerede størrelser og specifikationer kan diskuteres efter anmodning.

• 10 × 10 mm firkantede underlag

• 1-tommer (25,4 mm) wafers

• 2-tommer (50,8 mm) wafers

Kvalitetsklasser: P-grade (Produkt), R-grade (Research), D-grade (Eksperimentel), differentieret hovedsageligt af HR-XRD rocking-curve FWHM og overordnet krystalkvalitet.

4. Tekniske nøglespecifikationer

Fælles parametre på tværs af størrelser (typiske værdier; karakterafhængig, hvor det er angivet):

Størrelsesspecifikke geometriske tolerancer:

• 10×10 mm: Sidelængde 10 mm ± 0,5 mm; TTV ≤ 15 μm; Bue ≤ 15 μm

• 1-tommer: Diameter 25,4 mm ± 0,5 mm; Anvendeligt areal ≥ 90 %; TTV ≤ 20 μm; Bue ≤ 20 μm; Primær flad (10-10) ± 5°, længde 8 mm ± 1 mm

• 2-tommer: Diameter 50,8 mm ± 0,5 mm; Anvendeligt areal ≥ 90 %; TTV ≤ 30 μm; Bue ≤ 30 μm; Primær flad længde 16 mm ± 2 mm

5. Hvorfor vælge VeTek AlN Wafers?

Som en specialiseret leverandør af avancerede halvledermaterialer og komponenter leverer VeTek Semiconductor:

• Højkvalitets AlN enkeltkrystal wafers med kontrolleret krystalkvalitet og epi-klare overflader

• Flere størrelser og kvaliteter til at understøtte både enhedsproduktion og forskningsprogrammer

• Komplementære wafer- og substratløsninger under VeTek-halvledermaterialeporteføljen

• Teknisk support til materialevalg og procesmatching

Vores AlN-wafere hjælper kunder med at accelerere udviklingen af ​​højeffekt RF, højspændingseffekt og dyb-UV optoelektroniske enheder, der kræver den unikke kombination af ultrabredt båndgab, høj termisk ledningsevne og GaN-kompatibilitet, som aluminiumnitrid tilbyder.