Webmenu

Produktsøgning

Sprog

Teknik og løsninger

Valgvejledning

Teknologi og trendsLøsningerValgvejledningCasestudier
01 Ydeevnegrænser for CVD SiC, TaC og Solid SiC i epitaksi- og ætsningsprocesser
05

01 Ydeevnegrænser for CVD SiC, TaC og Solid SiC i epitaksi- og ætsningsprocesser

Valg af den rigtige CVD SiC, TaC-belægning eller Solid SiC bestemmer direkte partikelniveauer og komponentlevetid på epitaksi/ætsningslinjer. Denne artikel giver klare udvælgelsesgrænser efter temperatur, atmosfære og proces, matchet med større udstyrsudskiftningsløsninger og nøglemålinger, for at hjælpe dig med at træffe hurtige beslutninger og reducere risikoen.
Se mere
Nyhedsanbefalinger
Anvendelse af kulstofbaserede termiske feltmaterialer i siliciumcarbid krystalvækst
Anvendelse af kulstofbaserede termiske feltmaterialer i siliciumcarbid krystalvækstSe mere >>
‌Optimering af defekter og renhed i Sic -krystaller ved TAC -belægning
‌Optimering af defekter og renhed i Sic -krystaller ved TAC -belægningSe mere >>
Hvorfor er CVD TaC belægning
Hvorfor er CVD TaC belægning "Højtemperaturpanser" i tredjegenerationshalvlederSe mere >>
Velkommen kunder til at besøge Veteksemicons SIC -belægning/ TAC -belægning og Epitaxy Process Factory
Velkommen kunder til at besøge Veteksemicons SIC -belægning/ TAC -belægning og Epitaxy Process FactorySe mere >>
Materiale af siliciumcarbidepitaxy
Materiale af siliciumcarbidepitaxySe mere >>
Ved du om MOCVD -følger?
Ved du om MOCVD -følger?Se mere >>
X
Vi bruger cookies til at tilbyde dig en bedre browsingoplevelse, analysere trafik på webstedet og tilpasse indhold. Ved at bruge denne side accepterer du vores brug af cookies. Privatlivspolitik
AfviseAcceptere