CVD SIC PANCAKE SUSCEPTOR

Det halvleder CVD SIC Pancake Sceptor fremstilles ved hjælp af den nyeste kemiske dampaflejring (CVD) -teknologi for at sikre fremragende holdbarhed og ekstrem temperaturtilpasningsevne. Følgende er dens vigtigste fysiske egenskaber:

● Termisk stabilitet: Den høje termiske stabilitet af CVD SIC sikrer stabil ydeevne under høje temperaturforhold.

● Lav termisk ekspansionskoefficient: Materialet har en ekstremt lav termisk ekspansionskoefficient, der minimerer fordrejning og deformation forårsaget af temperaturændringer.

● Kemisk korrosionsbestandighed: Fremragende kemisk modstand gør det muligt for den at opretholde høj ydeevne i en række hårde miljøer.

Præcis støtte og optimeret varmeoverførsel

Veteksemis pandekagesceptorbaseret SIC -coatet er designet til at rumme halvlederskiver og give fremragende støtte under epitaksial afsætning. SIC Pancake -følgeren er designet ved hjælp af avanceret beregningssimuleringsteknologi for at minimere skæv og deformation under forskellige temperatur- og trykforhold. Dens typiske termiske ekspansionskoefficient er omkring 4,0 × 10^-6/° C, hvilket betyder, at dens dimensionelle stabilitet er signifikant bedre end traditionelle materialer i miljøer med høj temperatur og derved sikrer konsistensen af ​​skivtykkelse (typisk 200 mm til 300 mm).

Derudover udmærker CVD -pandekagesceptoren sig i varmeoverførsel med en termisk ledningsevne på op til 120 vægt/m. Denne høje termiske ledningsevne kan hurtigt og effektivt udføre varme, øge temperaturuniformiteten inden for ovnen, sikre ensartet varmefordeling under epitaksial afsætning og reducere deponeringsfejl forårsaget af ujævn varme. Optimeret varmeoverførselsydelse er kritisk for forbedring af deponeringskvaliteten, hvilket effektivt kan reducere processvingninger og forbedre udbyttet.

Gennem disse design- og præstationsoptimeringer giver Vetek Semiconductors CVD Sic Pancake Sceptor et solidt fundament for halvlederproduktion, hvilket sikrer pålidelighed og konsistens under barske forarbejdningsbetingelser og opfylder de strenge krav i den moderne halvlederindustri for høj præcision og kvalitet.

CVD Sic Film Krystalstruktur

Grundlæggende fysiske egenskaber ved CVD SIC -belægning

Grundlæggende fysiske egenskaber ved CVD SIC -belægning
Ejendom	Typisk værdi
Krystalstruktur	FCC ß -fase polykrystallinsk, hovedsageligt (111) orienteret
Densitet	3,21 g/cm³
Hårdhed	2500 Vickers hårdhed （500 g belastning）
Kornstørrelse	2 ~ 10 mm
Kemisk renhed	99.99995%
Varmekapacitet	640 J · kg-1· K-1
Sublimeringstemperatur	2700 ℃
Bøjningsstyrke	415 MPa RT 4-punkt
Youngs modul	430 GPa 4pt Bend, 1300 ℃
Termisk ledningsevne	300W · m-1· K-1
Termisk ekspansion (CTE)	4,5 × 10-6K-1