Produkter
CVD tantalcarbid(TaC) belagt susceptor
  • CVD tantalcarbid(TaC) belagt susceptorCVD tantalcarbid(TaC) belagt susceptor
  • CVD tantalcarbid(TaC) belagt susceptorCVD tantalcarbid(TaC) belagt susceptor
  • CVD tantalcarbid(TaC) belagt susceptorCVD tantalcarbid(TaC) belagt susceptor

CVD tantalcarbid(TaC) belagt susceptor

VETEK CVD TaC Coated Susceptor kombinerer et isostatisk grafitsubstrat med høj renhed med en tæt CVD tantalcarbid (TaC) belægning for at levere enestående termisk stabilitet, korrosionsbestandighed og lav partikeldannelse til krævende halvlederepitaksi. Designet til SiC, GaN og AlN epitaksial vækst minimerer det kontaminering, forbedrer wafertemperaturens ensartethed og forlænger komponentens levetid i højtemperatur MOCVD- og CVD-processer.

Nøglefunktioner

Højtemperaturstabilitet: Bevarer stabil ydeevne under langvarige højtemperaturbehandlingsforhold.
Korrosionsbestandighed: Den tætte TaC-belægning giver effektiv beskyttelse mod korrosive procesgasser.
Lav partikeldannelse: En tæt belægningsstruktur hjælper med at reducere forurening under epitaksial vækst.
Fremragende termisk ensartethed:  Understøtter ensartet varmefordeling for forbedret proceskonsistens.
Lang levetid: Høj slidstyrke bidrager til reduceret vedligeholdelse og længere driftscyklusser.


Ansøgninger

Typiske anvendelser omfatter:

• SiC epitaksial vækst

• GaN MOCVD epitaksi

• AlN epitaksial vækst

• Tredje generation af halvlederfremstilling

• Højeffektelektronik

• RF-enheder

• MicroLED produktion

• Forsknings- og pilotproduktionssystemer


Kompatibelt udstyr

Kompatible platforme omfatter:

• Aixtron

• LPE

• Veeco

• AMEC

• NuFlare

• Brugerdefinerede CVD- og MOCVD-reaktorer


Fås også:

• Wafer Carriers

• Planetariske Susceptorer

• Tøndesusceptorer

• Rotationsskiver

• Halvmånedele

• Dækplader

• Grafitsamlinger

• Brugerdefinerede termiske feltkomponenter


Tekniske specifikationer

Underlagsmateriale

Isostatisk grafit med høj renhed

Belægningsmateriale

CVD Tantalcarbide (TaC)

Belægningstykkelse
20–40 μm (kan tilpasses)
Belægningsrenhed
Op til 99,9995 %
Maksimal arbejdstemperatur

>2000°C (inert atmosfære)

Tæthed
14,3 g/cm³
Hårdhed
~2000 HK
Termisk udvidelseskoefficient
6,3 x 10⁻⁶/K
Elektrisk resistivitet
1 x 10⁻⁵ Ω·cm
Tilgængelige størrelser
Tilpasset
Typiske applikationer
SiC, GaN, AlN epitaksi

Ofte stillede spørgsmål

1. Hvad er en CVD TaC Coated Susceptor?

En højrent grafitkomponent beskyttet af en tæt CVD TaC-belægning, der bruges som wafer-bærer under epitaksial vækst.

2. Hvorfor bruge TaC coating i stedet for SiC-belægning?

TaC tilbyder højere temperaturbestandighed, overlegen kemisk stabilitet og længere levetid.

3.Hvilke halvlederprocesser bruger TaC-cede susceptorer?

SiC-epitaksi, GaN MOCVD, AlN-epitaksi og andre højtemperatur-krystalvækstprocesser.

4. Kan VETEK fremstille skræddersyede susceptorer?

Ja. Vi leverer tilpassede design baseret på kundetegninger og proceskrav.

5. Hvilke reaktormærker understøttes?

Aixtron, LPE, Veeco, AMEC, NuFlare og andre mainstream-systemer.


Hot Tags: CVD TaC Coated Susceptor, TaC Coated Graphite Susceptor, Halvleder Susceptor, SiC Epitaxy Susceptor, MOCVD Susceptor, Graphite Wafer Carrier, Tantalcarbid Coating, Epitaxial Susceptor, Halvleder grafit dele
Send forespørgsel
Kontaktoplysninger
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Vi bruger cookies til at tilbyde dig en bedre browsingoplevelse, analysere trafik på webstedet og tilpasse indhold. Ved at bruge denne side accepterer du vores brug af cookies.Privatlivspolitik