TAC -belægning kan modstå høj temperatur på 2200 ℃. Vetek Semiconductor giver TAC -belægning med høj renhed med urenheder under 5 ppm i Kina. TAC Coating Pedestal Support Plate er i stand til at modstå ammoniakhydrogen, argonin i den epitaksiale enhedsreaktionskammer. Det forbedrer produktets levetid. Du leverer kravene, vi leverer tilpasning.
Vetek Semiconductor er Kina Producent og leverandør, der hovedsageligt producerer CVD TAC -belægningsføltere, indløbsring, Wafer Chunck, TAC -coated indehaver, TAC -belægningssupportplade med mange års erfaring. Håber at opbygge forretningsforhold med dig.
TAC -keramik har et smeltepunkt på op til 3880 ℃, høj hårdhed (Mohs hårdhed 9 ~ 10), stor termisk ledningsevne (22W · m-1· K−1), stor bøjningsstyrke (340 ~ 400MPa) og lille termisk ekspansionskoefficient (6,6 × 10−6K−1) og viser fremragende termokemisk stabilitet og fremragende fysiske egenskaber. Det har god kemisk og mekanisk kompatibilitet med grafit- og c/c -kompositmaterialer, så TAC -belægning bruges i vid udstrækning i rumbeskyttelse af rumfart, enkelt krystalvækst og epitaksiale reaktorer som Aixtron, LPE EPI -reaktor i halvlederindustrien.
TAC -coated grafit har bedre kemisk korrosionsresistens end bare stenblæk eller SIC -coatet grafit, kan bruges stabilt ved 2200 ° høj temperatur, reagerer ikke med mange metalelementer, er den tredje generation af halvlederens enkelt krystalvækst, epitaxy og wafer ætsningsscene med den bedste ydelsesbelægning, kan forbedre processen med temperatur og urenhedskontrol, fremstilling af silicon -carbid -silicon -silicon og beslægtet epit, der kan forbedre processen med temperatur og urenhedskontrol, fremstilling af høj kvalitet silicon carbide waFers og beslægtet epitaks, kan forbedrer. Det er især velegnet til dyrkning af GaN- eller ALN -enkeltkrystall i MOCVD -udstyr og SIC -enkeltkrystall i PVT -udstyr, og kvaliteten af den enkelt krystal, der er vokset, forbedres åbenbart.
TAC -belægning og sic coating reservedele, vi kan gøre:
Parameter for TAC -belægning:
Fysiske egenskaber ved TAC -belægning
TAC -belægningstæthed
14.3 (g/cm³)
Specifik emissivitet
0.3
Termisk ekspansionskoefficient
6.3 10-6/K
TAC Coating Hardness (HK)
2000 HK
Modstand
1 × 10-5Ohm*cm
Termisk stabilitet
<2500 ℃
Ændringer i grafitstørrelse
-10 ~ -20um
Belægningstykkelse
≥20um typisk værdi (35um ± 10um)
StøvleSemiconductor Chip Epitaxy Industry Chain Industrial Chain:
Det halvlederTAC Coating Pedestal Support PlateProduktionsbutik
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Vi bruger cookies til at tilbyde dig en bedre browsingoplevelse, analysere trafik på webstedet og tilpasse indhold. Ved at bruge denne side accepterer du vores brug af cookies. Privatlivspolitik