Horisontal Sic Wafer Carrier

Deals Semiconductor'sHorisontal Sic Wafer Carrier/Båd har et ekstremt højt smeltepunkt (ca. 2700 ° C), som muliggørHorisontal Sic Wafer Carrier/Båd til at arbejde stabilt i miljøer med høj temperatur uden deformation eller nedbrydning. Denne funktion er især vigtig i fremstilling af halvlederproduktionen, især i processer, såsom høje temperaturudglødning eller kemisk dampaflejring (CVD).

DeHorisontal Sic Wafer Carrier/Båd spiller specifikt følgende roller i processen med at bære wafer -bærere:

Silicium wafer bærer og støtte: Den horisontale SiC Wafer Boat bruges hovedsageligt til at bære og understøtte siliciumwafers under halvlederfremstilling. Den kan godt arrangere flere siliciumskiver sammen for at sikre, at de forbliver i god position og stabilitet gennem hele forarbejdningsprocessen.

Ensartet opvarmning og køling: På grund af SiC's høje termiske ledningsevne kan Wafer Boat effektivt fordele varmen jævnt til alle siliciumwafers. Dette hjælper med at opnå ensartet opvarmning eller afkøling af siliciumwafers under højtemperaturbehandling, hvilket sikrer ensartethed og pålidelighed af forarbejdningsprocessen.

Forebyg forurening: Den kemiske stabilitet af SIC gør det muligt for den at fungere godt i høj-temperatur og ætsende gasmiljøer, hvilket reducerer eksponeringen af ​​siliciumskiver for mulige forurenende stoffer eller reaktanter, hvilket sikrer renheden og kvaliteten af ​​siliciumskiver.

Faktisk kan den horisontale SiC Wafer Boat spille ovenstående rolle på grund af dens unikke produktegenskaber:

Fremragende kemisk stabilitet: SIC -materiale har fremragende korrosionsbestandighed over for en række kemiske medier. I processen med behandling af ætsende gasser eller væsker kan SIC Wafer -båd effektivt modstå kemisk korrosion og beskytte siliciumskiver mod forurening eller skade.

Høj termisk ledningsevne: SICs høje termiske ledningsevne hjælper med at distribuere varme i bærerprocessen og reducere varmeopsamling. Dette kan forbedre nøjagtigheden af ​​temperaturstyring under præcisionsbehandling og sikre ensartet opvarmning eller afkøling af siliciumskiver.

Lav termisk ekspansionskoefficient: SiC-materialets lave termiske udvidelseskoefficient betyder, at dimensionsændringen af ​​SiC Wafer Boat er meget lille under temperaturændringer. Dette hjælper med at opretholde dimensionsstabilitet under højtemperaturbehandling og forhindrer deformation eller positionsforskydning af siliciumskiver forårsaget af termisk ekspansion.

Grundlæggende fysiske egenskaber af Horisontal SiC Wafer Carrier:

VeTek Semiconductor Production Shop:

Oversigt over Semiconductor Chip Epitaxy Industry Chain: