MOCVD -følger med TAC -belægning

VeTek Semiconductor er en førende kinesisk producent, leverandør og eksportør med speciale i MOCVD Susceptor medTaC belægning. Du er velkommen til at komme til vores fabrik for at købe de seneste salgs-, lavpris- og højkvalitets MOCVD-susceptorer med TaC-coating. Vi ser frem til at samarbejde med dig.

LED -epitaxy står over for udfordringer som krystalkvalitetskontrol, materialevalg og matchning, strukturel design og optimering, processtyring og konsistens og let ekstraktionseffektivitet. Valg af den rigtige epitaxy wafer bærermateriale er afgørende, og belægning af det med tantalcarbid (TAC) tynd film (TAC -belægning) giver yderligere fordele.

Når man vælger et epitaxy wafer -bærermateriale, skal flere nøglefaktorer overvejes:

● Temperaturtolerance og kemisk stabilitet: LED-epitaksiprocesser involverer høje temperaturer og kan involvere brug af kemikalier. Derfor er det nødvendigt at vælge materialer med god temperaturtolerance og kemisk stabilitet for at sikre bærerens stabilitet i høje temperaturer og kemiske miljøer.

● Overfladeplanhed og slidstyrke: Overfladen af ​​epitaksisk wafer-bæreren skal have god planhed for at sikre ensartet kontakt og stabil vækst af epitaksi-waferen. Derudover er slidstyrke vigtig for at forhindre overfladeskader og slid.

● Termisk ledningsevne: Valg af et materiale med god termisk ledningsevne hjælper med at sprede varme effektivt, opretholder en stabil væksttemperatur for epitaxilaget og forbedrer processtabilitet og konsistens.

I denne henseende belægger den epitaxy Wafer Carrier med TAC følgende fordele:

● Stabilitet ved høje temperaturer: TaC-belægning udviser fremragende højtemperaturstabilitet, hvilket giver den mulighed for at bevare sin struktur og ydeevne under højtemperaturepitaksiprocesser og giver overlegen temperaturtolerance.

● Kemisk stabilitet: TaC-belægning er modstandsdygtig over for korrosion fra almindelige kemikalier og atmosfærer, beskytter bæreren mod kemisk nedbrydning og forbedrer dens holdbarhed.

● Hårdhed og slidstyrke: TaC-belægning besidder høj hårdhed og slidstyrke, styrker overfladen af ​​epitaxy wafer-bæreren, reducerer skader og slid og forlænger dens levetid.

● Termisk ledningsevne: TaC-belægning demonstrerer god termisk ledningsevne, hjælper med varmeafledning, opretholder en stabil væksttemperatur for epitaxilaget og forbedrer processtabilitet og konsistens.

Derfor hjælper valget af en epitaksisk wafer-bærer med en TaC-belægning med at løse udfordringerne ved LED-epitaksi og opfylder kravene til høje temperaturer og kemiske miljøer. Denne belægning byder på fordele såsom højtemperaturstabilitet, kemisk stabilitet, hårdhed og slidstyrke og termisk ledningsevne, hvilket bidrager til forbedret ydeevne, levetid og produktionseffektivitet af epitaxy wafer-bæreren.