ALD -atomlagsaflejring opskrift

Rumlig ALD, rumligt isoleret atomlagsaflejring. Waferen bevæger sig mellem forskellige positioner og udsættes for forskellige prækursorer ved hver position. Nedenstående figur er en sammenligning mellem traditionel ALD og rumligt isoleret ALD.

Tidsmæssig ALD,midlertidigt isoleret atomlagsaflejring. Skiven er fastgjort, og forløberne introduceres og fjernes skiftevis i kammeret. Denne metode kan behandle skiven i et mere afbalanceret miljø og derved forbedre resultaterne, såsom bedre kontrol af området for kritiske dimensioner. Figuren nedenfor er et skematisk diagram over den tidsmæssige ALD.

Stopventil, luk ventil. Almindelig brugt i，Opskrifter, der bruges til at lukke ventilen til vakuumpumpen, eller åbne stopventilen til vakuumpumpen.

Forløber, forløber. To eller flere, der hver indeholder elementerne i den ønskede deponerede film, adsorberes skiftevis på substratoverfladen, med kun en forløber ad gangen, uafhængigt af hinanden. Hver forløber mætter substratoverfladen for at danne et monolag. Forløberen kan ses i figuren herunder.

Rensning, også kendt som oprensning. Fælles rensegas, rensegas.Atomisk lagaflejringer en metode til at afsætte tynde film i atomlag ved sekventielt at placere to eller flere reaktanter i et reaktionskammer til dannelse af en tynd film gennem nedbrydning og adsorption af hver reaktant. Det vil sige, at den første reaktionsgas leveres på en pulserende måde for kemisk at deponere inde i kammeret, og den fysisk bundne resterende første reaktionsgas fjernes ved rensning. Derefter danner den anden reaktionsgas også en kemisk binding med den første reaktionsgas delvis gennem puls- og udrensningsprocessen, hvorved den ønskede film afsættes på underlaget. Purge kan ses i figuren nedenfor.

Cyklus. I deponeringsprocessen i atomlaget kaldes tiden for hver reaktionsgas, der skal pulseres og renses en gang, en gang en cyklus.

Atomlag epitaxy.En anden betegnelse for deponering af atomlag.

Trimethylaluminium, forkortet som TMA, trimethylaluminium. Ved atomlagsaflejring bruges TMA ofte som en forløber til dannelse af Al2O3. Normalt danner TMA og H2O Al2O3. Derudover danner TMA og O3 Al2O3. Nedenstående figur er et skematisk diagram af Al2O3-atomlagaflejring ved brug af TMA og H2O som forstadier.

3-aminopropyltriethoxysilan, omtalt som APTES, 3-aminopropyltrimethoxysilan. IAtomlagets deponering, Aptes bruges ofte som en forløber til dannelse af SiO2. Normalt danner Aptes, O3 og H2O SiO2. Figuren nedenfor er et skematisk diagram over Aptes.