SiC epitaksiproces

VeTek Semiconductors unikke karbidbelægninger giver overlegen beskyttelse af grafitdele i SiC Epitaxy Processen til bearbejdning af krævende halvleder- og komposithalvledermaterialer. Resultatet er forlænget grafitkomponentlevetid, bevarelse af reaktionsstøkiometri, hæmning af urenhedsmigrering til epitaksi- og krystalvækstapplikationer, hvilket resulterer i øget udbytte og kvalitet.

Vores tantalcarbid (TaC)-belægninger beskytter kritiske ovn- og reaktorkomponenter ved høje temperaturer (op til 2200°C) mod varm ammoniak, brint, siliciumdampe og smeltede metaller. VeTek Semiconductor har en bred vifte af grafitbehandlings- og målefunktioner for at opfylde dine skræddersyede krav, så vi kan tilbyde en gebyrbetalende belægning eller fuld service, med vores team af ekspertingeniører klar til at designe den rigtige løsning til dig og din specifikke applikation .

Sammensatte halvlederkrystaller

VeTek Semiconductor kan levere specielle TaC-belægninger til forskellige komponenter og bærere. Gennem VeTek Semiconductors brancheførende belægningsproces kan TaC-belægningen opnå høj renhed, høj temperaturstabilitet og høj kemisk resistens, og derved forbedre produktkvaliteten af ​​krystal-Tac/GaN)- og EPL-lag og forlænge levetiden af ​​kritiske reaktorkomponenter.

Termiske isolatorer

SiC, GaN og AlN krystalvækstkomponenter inklusive digler, frøholdere, deflektorer og filtre. Industrielle samlinger, herunder resistive varmeelementer, dyser, afskærmningsringe og lodningsarmaturer, GaN- og SiC-epitaksiale CVD-reaktorkomponenter, herunder wafer-bærere, satellitbakker, brusehoveder, hætter og piedestaler, MOCVD-komponenter.

 ● LED (Light Emitting Diode) Wafer Carrier

● ALD(Semiconductor)-modtager

● EPI-receptor (SiC-epitaksiproces)