TaC Coated Graphite Wafer Cover Ring

Kerne tekniske fordele

• Enestående kemisk resistens: Konstrueret til at modstå hårde ætsende gasser (H₂, NH₃, HCl) ved temperaturer mellem 1200°C og 2000°C.

• Termisk udvidelsesmatching: Vores proprietære CVD-proces sikrer, at TaC-belægningen har en optimeret CTE (Coefficient of Thermal Expansion)-match med grafitsubstratet, hvilket forhindrer afskalning eller revner under hurtig termisk cykling.

• Overlegen partikelkontrol: Ved fuldstændig at forsegle den porøse grafit eliminerer TaC-laget partikeludskillelse, hvilket direkte øger dit waferudbytte og reducerer nedetid i reaktoren.

• Forlænget levetid: Yderst slidstærk overflade, der modstår gentagne rengøringscyklusser, hvilket giver en betydeligt lavere ejeromkostning (CoO) sammenlignet med ubelagte eller SiC-belagte alternativer.

Tantalcarbid (TaC) belægning på et mikroskopisk tværsnit

Produktparameter for TaC Coated Graphite Wafer Cover Ring

Hvorfor vælge vores TaC-dækringe?

Vi forstår, at i halvlederfremstilling er pålidelighed lig med rentabilitet. Vores TaC Coated Graphite Wafer Cover Ringe er batch-testet for belægningsdensitet og renhed. Uanset om du skifter fra 6-tommer til 8-tommer wafer-produktion eller optimerer en højtemperatur-MOCVD-proces, giver vores ringe den termiske og kemiske afskærmning, der er nødvendig for epitaksi i verdensklasse.