4 ° Off Axis P-type Sic Wafer

Som en professionel halvlederproducent i Kina, VeTek Semiconductor 4° off-akse p-typeSic Waferhenviser til 4H siliciumcarbid (SiC) wafere, der afviger 4° fra krystallens hovedkrystalretning (normalt c-aksen), når de skæres og gennemgår P-type doping. Dette produkt bruges normalt til fremstilling af kraftelektroniske enheder og radiofrekvensenheder (RF) i halvlederindustriens kæde og har fremragende produktfordele.

Ved at skære uden for aksen kan VeTek Semiconductors 4° off-akse p-type SiC Wafer effektivt reducere dislokationer og defekter, der genereres under væksten af ​​det epitaksiale lag, og derved forbedre kvaliteten af ​​waferen. Derudover hjælper 4° Off-Axis orienteringen til at skabe et mere ensartet og defektfrit epitaksialt lag, forbedrer kvaliteten af ​​det epitaksiale lag og er generelt velegnet til fremstilling af højtydende enheder.

Desuden kan Vetek Semiconductors 4 ° off Axis P-type sic wafer-produkter få skiven til at have flere huller og danne en P-type halvleder ved dopingacceptor urenheder (såsom aluminium eller bor). P-type 4H-SIC-skiver bruges ofte til fremstilling af effektenheder, der kræver et P-type lag. Denne type halvleder har fremragende elektriske egenskaber.

Sammenlignet med andre polymorfer såsom 6H-SIC,4H-SicHar højere elektronmobilitet og nedbrydning af elektrisk feltstyrke og er velegnet til højfrekvent og højeffekt-scenarier. Derudover har 4H-SIC-materialer fremragende højspændings- og høj-temperaturresistens og kan arbejde normalt i barske miljøer.

2inch 4inch 4 ° OFF AXIS P-TYPE SIC Wafer Størrelsesrelaterede standarder：

6 tommer 4° off-akse p-type SiC Wafer Størrelsesrelaterede standarder：

4 ° Off Axis P-type SIC Wafer Detection Methods and Terminology：

Vetek Semiconductor har allerede 4 ° fra Axis P-type 4H-Sic-underlag fra 2 ~ 6 tommer.Substratet er dopet med aluminium og ser ud til blå. Resistiviteten varierer fra 0,1 til 0,7Ω • CM. 

Hvis du har produktkrav til 4° off-akse p-type SiC Wafer, er du velkommen til at kontakte os.