Hvad er temperaturgradienten for det termiske felt i en enkelt krystalovn?

Hvad erTermisk felt?

Temperaturfeltet forenkelt krystalvækstHenviser til den rumlige fordeling af temperatur i en enkelt krystalovn, også kendt som det termiske felt. Under kalcinering er temperaturfordelingen i det termiske system relativt stabil, der kaldes et statisk termisk felt. Under væksten af ​​en enkelt krystal ændres det termiske felt, der kaldes et dynamisk termisk felt.

Når en enkelt krystal vokser, på grund af den kontinuerlige transformation af fasen (flydende fase til fast fase), frigøres den faste fase latente varme kontinuerligt. På samme tid falder krystallen længere og længere, smeltniveauet falder konstant, og varmeledningen og strålingen ændrer sig. Derfor ændres det termiske felt, der kaldes et dynamisk termisk felt.

Hvad er den solide-væske-grænseflade?

På et bestemt tidspunkt har ethvert punkt i ovnen en bestemt temperatur. Hvis vi forbinder punkterne i rummet med den samme temperatur i temperaturfeltet, får vi en rumlig overflade. På denne rumlige overflade er temperaturen lige overalt, som vi kalder en isotermisk overflade. Blandt de isotermiske overflader i den enkelte krystalovn er der en meget speciel isotermisk overflade, som er grænsefladen mellem den faste fase og den flydende fase, så den kaldes også den faste væske-grænseflade. Krystallen vokser fra den faste væske-grænseflade.

Hvad er temperaturgradient?

Temperaturgradienten henviser til ændringshastigheden af ​​temperaturen i et punkt A i det termiske felt til temperaturen på et nærliggende punkt B. Det vil sige, ændringshastigheden i en enhedsafstand.

NårEnkelt krystalsiliciumVokser, der er to former for faste og smelte i det termiske felt, og der er også to typer temperaturgradienter:

▪ Den langsgående temperaturgradient og radial temperaturgradient i krystallen.

▪ Den langsgående temperaturgradient og radial temperaturgradient i smelten.

▪ Dette er to helt forskellige temperaturfordelinger, men temperaturgradienten ved den faste væske-grænseflade, der mest kan påvirke krystallisationstilstanden. Krystallens radiale temperaturgradient bestemmes af den langsgående og tværgående varmeeledning af krystallen, overfladestrålingen og den nye position i det termiske felt. Generelt er midttemperaturen høj, og kanttemperaturen på krystallen er lav. Smeltens radiale temperaturgradient bestemmes hovedsageligt af varmerne omkring den, så midterstemperaturen er lav, temperaturen nær digelen er høj, og den radiale temperaturgradient er altid positiv.

En rimelig temperaturfordeling af det termiske felt skal opfylde følgende betingelser:

▪ Den langsgående temperaturgradient i krystallen er stor nok, men ikke for stor, til at sikre, at der er nok varmeafledningskapacitet underkrystalvækstAt fjerne den latente varme af krystallisation.

▪ Den langsgående temperaturgradient i smelten er relativt stor, hvilket sikrer, at der ikke genereres nogen nye krystalkerner i smelten. Men hvis det er for stort, er det let at forårsage dislokationer og brud.

▪ Den langsgående temperaturgradient ved krystallisationsgrænsefladen er passende stor og danner derved den nødvendige underkøling, så den enkelte krystal har tilstrækkelig vækstmomentum. Det skal ikke være for store, ellers vil strukturelle defekter forekomme, og den radiale temperaturgradient skal være så lille som muligt for at gøre krystallisationsgrænsefladen fladt.

Vetek Semiconductor er en professionel kinesisk producent afSic krystalvækst porøs grafit, Monokrystallinsk trækkel, Træk silicium enkelt krystaljig, Crucible til monokrystallinsk silicium, Tantalcarbidbelagt rør til krystalvækst.  Vetek Semiconductor er forpligtet til at levere avancerede løsninger til forskellige SIC Wafer -produkter til halvlederindustrien.

Hvis du er interesseret i ovenstående produkter, er du velkommen til at kontakte os direkte.  

Mob: +86-180 6922 0752

Whatsapp: +86 180 6922 0752

E -mail: Anny@veteksemi.com