CVD SiC Coated Graphite Susceptor til Wafer Carrier

1. Produktfordele

• Materiale med høj renhed:Halvlederkvalitetsgrafitmaterialet og den tætte SiC-belægningsstruktur minimerer forureningsrisici og forbedrer pålideligheden af ​​den CVD SiC-belagte grafitsusceptor.
• Fremragende termisk ensartethed:Optimeret grafitstruktur og SiC-belægning giver stabil varmeoverførsel og ensartet wafertemperaturkontrol.
• Overlegen kemisk modstand:Den tætte SiC-belægning giver stærk modstand mod procesgasser og korrosive miljøer.
• Lang levetid:Høj hårdhed og slidstyrke forbedrer holdbarheden under epitaksiforhold ved høje temperaturer.
• Lav partikelgenerering:Den tætte CVD SiC-overflade reducerer partikelfrigivelse og forbedrer wafer-processikkerheden.
• Mulighed for tilpasset design:Fås i forskellige størrelser, strukturer og konfigurationer i henhold til udstyrskrav.

2. Tekniske specifikationer

3. Ansøgninger

• SiC-epitaksiproces:Grafit-susceptoren bruges som en wafer-bærer i SiC-epitaksiudstyr, der understøtter SiC-substrater under epitaksial vækst ved høj temperatur.
• Silicium epitaksi proces:Anvendes i silicium epitaksiale reaktorer til at understøtte wafers og opretholde stabile termiske forhold.
• MOCVD epitaksi:VETEK grafitsusceptorer er velegnede til MOCVD, LED-epitaksi, GaN-epitaksi, siliciumepitaksi og andre halvlederfremstillingsprocesser, der kræver fremragende termisk ensartethed og kemisk stabilitet.
• Udstyr til fremstilling af halvledere:Kompatibel med forskellige epitaksiplatforme, herunder LPE horisontale ovne, Aixtron, NuFlare og relateret halvlederudstyr.

4. Hvorfor vælge VETEK?

VETEK leverer kundetilpassede CVD SiC-belagte grafitsusceptorløsninger, der integrerer grafitrensning, præcisionsbearbejdning, CVD-belægning og inspektionsmuligheder. Vores grafitsusceptorprodukter i halvlederkvalitet har høj renhed, ensartet belægningstykkelse, fremragende termisk ydeevne og lang levetid til krævende wafer-bæreapplikationer.