Wafer Carrier -bakke

Du kan være sikker på at købe Wafer Carrier-bakke fra vores fabrik.

Vetek semiconductor leverer hovedsageligt CVD SiC-belægningsgrafitdele som waferbærerbakke til tredje generations halvleder SiC-CVD-udstyr og er dedikeret til at levere avanceret og konkurrencedygtigt produktionsudstyr til industrien. SiC-CVD udstyr bruges til vækst af homogene enkeltkrystal tyndfilm epitaksialt lag på siliciumcarbidsubstrat, SiC epitaksialt ark bruges hovedsageligt til fremstilling af strømenheder såsom Schottky diode, IGBT, MOSFET og andre elektroniske enheder.

Udstyret kombinerer proces og udstyr tæt. SiC-CVD-udstyret har åbenlyse fordele i høj produktionskapacitet, 6/8 tommer kompatibilitet, konkurrencedygtige omkostninger, kontinuerlig automatisk vækstkontrol for flere ovne, lav defektrate, vedligeholdelseskomfort og pålidelighed gennem design af temperaturfeltkontrol og flowfeltkontrol. Kombineret med den SiC-belagte wafer-bærerbakke leveret af vores Vetek Semiconductor, kan den forbedre produktionseffektiviteten af ​​udstyret, forlænge levetiden og kontrollere omkostningerne.

Vetek Semiconductors Wafer Carrier-bakke har hovedsageligt høj renhed, god grafitstabilitet, høj behandling præcision, plus CVD SIC-belægning, høj temperaturstabilitet: silicium-carbidbelægninger har fremragende høj temperaturstabilitet og beskyt underlaget mod varme og kemisk korrosion i ekstremt høje temperaturmiljøer .

Hårdhed og slidstyrke: Siliciumcarbidbelægninger har normalt en høj hårdhed, hvilket giver fremragende slidstyrke og forlænger substratets levetid.

Korrosionsbestandighed: Siliciumcarbidbelægningen er korrosionsbestandig over for mange kemikalier og kan beskytte underlaget mod korrosionsskader.

Reduceret friktionskoefficient: Siliciumcarbidbelægninger har normalt en lav friktionskoefficient, hvilket kan reducere friktionstab og forbedre komponenternes arbejdseffektivitet.

Termisk ledningsevne: Siliciumcarbidbelægningen har normalt god varmeledningsevne, hvilket kan hjælpe substratet med bedre at sprede varme og forbedre komponenternes varmeafledningseffekt.

Generelt kan CVD-siliciumcarbidbelægningen give flere beskyttelser til underlaget, forlænge dets levetid og forbedre dets ydeevne.

Grundlæggende fysiske egenskaber af CVD SiC belægning:

Produktionsbutikker:

Oversigt over halvlederchip-epitaksi-industrikæden: