CVD SiC Coated RTP Susceptor

Funktioner

• Termisk ensartethed - Materialets høje termiske diffusivitet muliggør hurtig, rumligt ensartet varmeoverførsel, hvilket understøtter repeterbare wafertemperaturprofiler.
• Højt renhedsniveau – CVD SiC-belægningen opnår en renhed på 99,99995%, hvilket effektivt reducerer risikoen for mobil ion- og metalforurening i kritiske procestrin.
• Kemisk holdbarhed – Belægningen udviser stærk modstandsdygtighed over for ætsende arter, herunder halogenbaserede gasser, under forhøjede temperaturer.l Forlængede serviceintervaller – Forbedret oxidations- og slidbestandighed betyder færre udskiftninger og reduceret værktøjsnedetid.
• Designfleksibilitet – Dimensioner og konfigurationer kan tilpasses til at matche specifikke RTP-kammergeometrier og waferstørrelser.

Ansøgninger

• Hurtig termisk behandling (RTP)
• Hurtig termisk udglødning (RTA)
• Dopant aktivering. Oxidations- og udglødningstrin
• Fremstilling af integrerede kredsløb (IC).
• Fremstilling af strømudstyr Teknisk

Specifikationer

Hvorfor vælge VeTek Semiconductor?

· Intern CVD SiC-belægningsproces udviklet specifikt til krav til halvlederkvalitet.

· Integrerede muligheder for grafitrensning, præcisionsbearbejdning og kontrol af belægningstykkelse.

· Dokumenteret belægningsadhæsion og lagensartethed på tværs af batchproduktion.

· Teknisk support til brugerdefinerede susceptor-design, der er kompatible med større RTP-værktøjsplatforme.

· Strenge inspektion af indgående materiale, overvågning i processen og endelig kvalifikationstest sikrer ensartethed fra batch til batch.