MOCVD teknologi

VeTek Semiconductor har fordele og erfaring med MOCVD Technology reservedele.

MOCVD, det fulde navn på Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (metal-organisk Chemical Vapor Deposition), kan også kaldes metal-organisk dampfase-epitaksi. Organometalliske forbindelser er en klasse af forbindelser med metal-carbon-bindinger. Disse forbindelser indeholder mindst én kemisk binding mellem et metal og et carbonatom. Metalorganiske forbindelser bruges ofte som forstadier og kan danne tynde film eller nanostrukturer på substratet gennem forskellige aflejringsteknikker.

Metalorganisk kemisk dampaflejring (MOCVD-teknologi) er en almindelig epitaksial vækstteknologi, MOCVD-teknologi er meget udbredt til fremstilling af halvlederlasere og lysdioder. Især ved fremstilling af lysdioder er MOCVD en nøgleteknologi til produktion af galliumnitrid (GaN) og relaterede materialer.

Der er to hovedformer for epitaksi: Liquid Phase Epitaxy (LPE) og Vapor Phase Epitaxy (VPE). Gasfaseepitaksi kan yderligere opdeles i metal-organisk kemisk dampaflejring (MOCVD) og molekylær stråleepitaksi (MBE).

Udenlandske udstyrsproducenter er hovedsageligt repræsenteret af Aixtron og Veeco. MOCVD-systemet er et af nøgleudstyret til fremstilling af lasere, lysdioder, fotoelektriske komponenter, strøm, RF-enheder og solceller.

Hovedtræk ved MOCVD teknologi reservedele fremstillet af vores virksomhed:

1) Høj densitet og fuld indkapsling: grafitbasen som helhed er i et højtemperatur- og korrosivt arbejdsmiljø, overfladen skal være fuldt indpakket, og belægningen skal have god fortætning for at spille en god beskyttende rolle.

2) God overfladefladhed: Fordi grafitbasen, der anvendes til enkeltkrystalvækst, kræver en meget høj overfladefladhed, bør den oprindelige fladhed af basen bibeholdes, efter at belægningen er forberedt, det vil sige, at belægningslaget skal være ensartet.

3) God bindingsstyrke: Reducer forskellen i termisk udvidelseskoefficient mellem grafitbasen og belægningsmaterialet, hvilket effektivt kan forbedre bindingsstyrken mellem de to, og belægningen er ikke let at knække efter at have oplevet høj og lav temperatur varme cyklus.

4) Høj termisk ledningsevne: Spånvækst af høj kvalitet kræver, at grafitbasen giver hurtig og ensartet varme, så belægningsmaterialet skal have en høj varmeledningsevne.

5) Højt smeltepunkt, høj temperatur oxidationsbestandighed, korrosionsbestandighed: belægningen skal være i stand til at arbejde stabilt i høj temperatur og korrosivt arbejdsmiljø.

Placer 4 tommer substrat
Blågrøn epitaksi til dyrkning af LED
Anbragt i reaktionskammeret
Direkte kontakt med waferen Placer 4 tommer substrat
Bruges til at dyrke UV LED epitaksial film
Anbragt i reaktionskammeret
Direkte kontakt med waferen Veeco K868/Veeco K700 maskine
Hvid LED-epitaksi/Blå-grøn LED-epitaksi Anvendes i VEECO-udstyr
Til MOCVD-epitaxi
SiC Coating Susceptor Aixtron TS udstyr
Dyb ultraviolet epitaksi
2-tommer substrat Veeco udstyr
Rød-gul LED-epitaxi
4-tommer wafer-substrat TaC Coated Susceptor
(SiC Epi/UV LED-modtager) SiC Coated Susceptor
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD Susceptor)