Siliciumcarbid belægning

Veteksemicon SiC Coated Epitaxial Reactor kammer er en kernekomponent designet til krævende halvlederepitaksiale vækstprocesser. Ved at bruge avanceret kemisk dampaflejring (CVD) danner dette produkt en tæt, høj ren SiC-belægning på et højstyrke grafitsubstrat, hvilket resulterer i overlegen højtemperaturstabilitet og korrosionsbestandighed. Det modstår effektivt de ætsende virkninger af reaktantgasser i procesmiljøer med høje temperaturer, undertrykker betydeligt partikelforurening, sikrer ensartet epitaksial materialekvalitet og højt udbytte og forlænger vedligeholdelsescyklussen og levetiden for reaktionskammeret væsentligt. Det er et nøglevalg til at forbedre produktionseffektiviteten og pålideligheden af ​​halvledere med brede båndgab såsom SiC og GaN.

I kerneprocessen af ​​siliciumcarbid epitaksial vækst forstår Veteksemicon, at susceptorydelse direkte bestemmer kvaliteten og produktionseffektiviteten af ​​det epitaksiale lag. Vores EPI-susceptorer med høj renhed, designet specifikt til SiC-feltet, bruger et specielt grafitsubstrat og en tæt CVD SiC-belægning. Med deres overlegne termiske stabilitet, fremragende korrosionsbestandighed og ekstremt lave partikelgenereringshastighed sikrer de uovertruffen tykkelse og ensartet doping for kunder selv i barske procesmiljøer med høje temperaturer. At vælge Veteksemicon betyder at vælge hjørnestenen for pålidelighed og ydeevne for dine avancerede halvlederfremstillingsprocesser.

Veteksemicon SiC-belagt grafitsusceptor til ASM er en kernebærerkomponent i halvlederepitaksiale processer. Dette produkt anvender vores proprietære pyrolytiske siliciumcarbidbelægningsteknologi og præcisionsbearbejdningsprocesser for at sikre overlegen ydeevne og en ultralang levetid i høje temperaturer og korrosive procesmiljøer. Vi forstår dybt de strenge krav til epitaksiale processer med hensyn til substratrenhed, termisk stabilitet og konsistens og er forpligtet til at give kunderne stabile, pålidelige løsninger, der forbedrer udstyrets overordnede ydeevne.

Veteksemicon fokusring er designet specifikt til krævende halvlederætsningsudstyr, især SiC-ætsningsapplikationer. Monteret omkring den elektrostatiske chuck (ESC), i umiddelbar nærhed af waferen, er dens primære funktion at optimere den elektromagnetiske feltfordeling i reaktionskammeret, hvilket sikrer ensartet og fokuseret plasmahandling over hele waferens overflade. En højtydende fokusring forbedrer ætsningshastighedens ensartethed betydeligt og reducerer kanteffekter, hvilket direkte øger produktudbyttet og produktionseffektiviteten.

Veteksemicon siliciumcarbidbærerplade til LED-ætsning, der er specielt designet til fremstilling af LED-chips, er et kerneforbrugsstof i ætningsprocessen. Fremstillet af præcisionssintret siliciumcarbid med høj renhed, tilbyder den enestående kemisk modstand og høj temperatur dimensionsstabilitet, der effektivt modstår korrosion fra stærke syrer, baser og plasma. Dens lave forureningsegenskaber sikrer høje udbytter for LED-epitaksiale wafere, mens dens holdbarhed, der langt overstiger traditionelle materialer, hjælper kunderne med at reducere de samlede driftsomkostninger, hvilket gør det til et pålideligt valg til at forbedre effektiviteten og konsistensen af ​​ætsningsprocessen.

Veteksi solid SiC fokusring forbedrer ætsningens ensartethed og processtabilitet væsentligt ved præcist at kontrollere det elektriske felt og luftstrømmen ved waferkanten. Det er meget udbredt i præcisionsætsningsprocesser for silicium, dielektrikum og sammensatte halvledermaterialer og er en nøglekomponent til at sikre masseproduktionsudbytte og langsigtet pålidelig udstyrsdrift.