Siliciumcarbid belægning

Vores SIC -coatede planetariske følsomhed er en kernekomponent i den høje temperaturproces for fremstilling af halvleder. Dets design kombinerer grafitsubstrat med siliciumcarbidbelægning for at opnå omfattende optimering af termisk styringsydelse, kemisk stabilitet og mekanisk styrke.

Vores SIC-coatede tætningsring til epitaxy er en højtydende tætningskomponent baseret på grafit- eller carbon-carbonkompositter belagt med siliciumcarbid med høj rensning (SIC) ved kemisk dampaflejring (CVD), der kombinerer den termiske stabilitet af grafit med den ekstreme miljøresistens af SIC, og er designet til Semiconductor Epitaxial udstyr (f.eks

Veteksemicon Single Wafer Epi Graphite Sceptor er designet til højtydende siliciumcarbid (SIC), galliumnitrid (GAN) og anden tredje generation af halvlederpitaksial proces, og er den kerneslagekomponent i høj-præcision epitaksial ark i masseproduktion. Velkommen din yderligere undersøgelse.

En vigtig komponent, der anvendes i ætsningsprocessen for opdræt af skiven, er plasma -ætsningsfokusringen, hvis funktion er at holde skiven på plads for at opretholde plasmatæthed og forhindre kontaminering af skivens sider. Vetek halvleder leverer plasma -ætsningsfokusring med forskellige materialer som monokrystallinsk silicium, silicon carbide, boroncaroncarma og andre keramiske materialer.

Vetek Semiconductor er en førende producent og leverandør af SIC Coated E-Chucks i Kina. Sic Coated E-Chuck er specielt designet til ætsningsproces for gan wafer med fremragende ydelse og lang levetid for at yde all-round support til din halvlederfremstilling. Vores stærke behandlingsevne gør det muligt for os at give dig den SIC keramiske følsomhed, du ønsker. Ser frem til din forhør.

Veteksemicon leverer højtydende SIC ICP-ætsningsplader, designet til ICP-ætsning af applikationer i halvlederindustrien. Dens unikke materialegenskaber gør det muligt for det at fungere godt i høje temperatur, højt tryk og kemiske korrosionsmiljøer, hvilket sikrer fremragende ydelse og langvarig stabilitet i forskellige ætsningsprocesser.